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SiCデバイスの高性能化へ向けた材料技術とパワーデバイスへの応用
SiCデバイスの高性能化へ向けた材料技術とパワーデバイスへの応用
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、SiCデバイスの高品質化に向けた結晶成長技術、基板加工技術、パワー半導体への応用を各専門の講師が詳解いたします。
開催日
- 2011年10月31日(月) 10時30分 ～ 16時00分
受講対象者
- パワーデバイス、SiC半導体、GaN半導体に関連する技術者
修得知識
- SiCデバイスの高品質化に向けた技術
- 結晶成長技術
- 基板加工技術
- パワー半導体への応用
プログラム
第1部 高品質SiCエピタキシャル基板 ～その現状と技術課題～ (10:30～12:00)
Siの材料限界を打破する新たなパワー半導体材料としてシリコンカーバイド (SiC) 単結晶に大きな期待が集まっている。
本講演では、SiC半導体開発の背景と現状について紹介するとともに、高性能SiCパワーデバイス実現の礎となるSiCエピタキシャル基板の製造技術を概観する。
バルク結晶成長、ウェーハ加工、エピタキシャル成長と、各工程の概要を説明するとともに、その現状と技術課題について述べる。
- SiC半導体開発の背景
- 環境・エネルギー技術としての位置付け
- SiC半導体開発のインパクト
- SiCエピタキシャル基板開発の歴史と経緯
- SiC半導体開発の黎明期
- SiCバルク結晶成長とエピタキシャル成長におけるブレイクスルー
- SiCエピタキシャル基板開発の現状と動向
- SiCエピタキシャル基板の市場
- SiCエピタキシャル基板関連の学会・業界動向
- SiCエピタキシャル基板関連の最近のニュース
- SiCエピタキシャル基板製造プロセスの概要
- SiC単結晶のバルク結晶成長技術
- SiC単結晶のウェーハ加工技術
- SiC単結晶ウェーハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
- SiCエピタキシャル基板の技術課題
- SiC単結晶のポリタイプ制御
- SiCエピタキシャル基板の基本特性とその制御
- SiCエピタキシャル基板中の結晶欠陥
- SiCエピタキシャル基板の高品質化
- まとめ
- 質疑応答・名刺交換等
第2部 SiCデバイスの高性能化に向けた平坦化・清浄化技術 (12:45～14:15)
SiC はSi では不可能な高温動作が可能で省電力でもあるため、自動車、通信、エネルギー分野等で急速に実用化され始めた。
研磨量産ラインでは、3インチから4インチウェハが主流となり、結晶製造メーカーでは6インチ化の開発も進められている。
本講では半導体ウェハ表面に求められる要求事項および研磨の役割、SiCウェハのケミカルメカニカル研磨 (CMP) について、後半では洗浄方法の違いによる清浄度についても講義する。
- 半導体ウェハ最終表面に求められる要求事項
- 各種ウェハの研磨技術開発
- 半導体ウェハ最終表面に求められる項目
- 研磨及び洗浄の役割
- 固定砥粒加工と遊離砥粒加工
- 固定砥粒加工と遊離砥粒加工の長所と短所
- ケミカルメカニカルポリシング (CMP) の種類とメカニズム
- CMPに用いる研磨剤とパッド
- 結晶状態別各種加工方法による表面状態の違い
- SiCウェハの加工
- SiCウェハの加工工程
- SiCウェハの平坦化、平滑化
- 工程別表面の評価.測定
- SiCの洗浄について
- 半導体ウェハに用いる精密洗浄技術の種類
- 各種汚染の要因
- 洗浄と乾燥
- 今後の課題
- 低コスト化
- 環境への配慮など
- 質疑応答・名刺交換等
第3部 SiCパワーデバイスの最新動向と開発指針 (14:30～16:00)
パワー半導体の将来を考える上での重要な課題として、シリコンデバイスからシリコンカーバイド (SiC) やガリウムナイトライド (GaN) に代表されるワイドバンドギャップ化合物半導体にいつになったら移行するかというところにある。
シリコンIGBTはトレンチFS型の誕生でまたMOSFETはsuperjunction型の誕生で特性限界に近づきつつあり、いよいよSiCに代表されるワイドバンドギャップパワー半導体の登場も現実味を帯びてきた。どんな素子がいつごろ本格的にマーケットに登場するのか? 特長は?課題は?
最新の技術動向を解説しながら、特性や製造プロセスの特異性など、素子設計、製造プロセス、またアプリケーションの立場を通して多角的な観点から詳細に説明する。
- パワーデバイスの現状
- どんな用途に何が使われているのか?
- パワーデバイスに要求される特性は何?
- SiCパワーデバイス開発
- なぜSiCが注目されているのか
- SiCで何を開発するのか?MOSFETなのかIGBTなのか
- SiCパワーデバイス開発現状と課題
- 最近の新聞発表、論文について解説
- SiC-MOSFETの本格的な製品化はいつごろなのか?
- 製品化を阻んでいる課題は何なのか?
- SiCパワーデバイスのプロセスはSiとどこが違うのか
- GaNパワーデバイス開発現状と課題
- なぜGaNなのか?SiCに対して何がいいのか?
- 最近の新聞発表、論文について解説
- まとめ
- 質疑応答・名刺交換等
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
47,600円 (税別) / 49,980円 (税込)
割引特典について
- R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
- 1名でお申込みいただいた場合、1名につき47,250円 (税込)
- 2名同時にお申し込みいただいた場合、2人目は無料 (2名で49,980円)
- 案内登録をされない方は、1名につき49,980円 (税込)
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