技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、SiCデバイスの高品質化に向けた結晶成長技術、基板加工技術、パワー半導体への応用を各専門の講師が詳解いたします。
Siの材料限界を打破する新たなパワー半導体材料としてシリコンカーバイド (SiC) 単結晶に大きな期待が集まっている。
本講演では、SiC半導体開発の背景と現状について紹介するとともに、高性能SiCパワーデバイス実現の礎となるSiCエピタキシャル基板の製造技術を概観する。
バルク結晶成長、ウェーハ加工、エピタキシャル成長と、各工程の概要を説明するとともに、その現状と技術課題について述べる。
SiC はSi では不可能な高温動作が可能で省電力でもあるため、自動車、通信、エネルギー分野等で急速に実用化され始めた。
研磨量産ラインでは、3インチから4インチウェハが主流となり、結晶製造メーカーでは6インチ化の開発も進められている。
本講では半導体ウェハ表面に求められる要求事項および研磨の役割、SiCウェハのケミカルメカニカル研磨 (CMP) について、後半では洗浄方法の違いによる清浄度についても講義する。
パワー半導体の将来を考える上での重要な課題として、シリコンデバイスからシリコンカーバイド (SiC) やガリウムナイトライド (GaN) に代表されるワイドバンドギャップ化合物半導体にいつになったら移行するかというところにある。
シリコンIGBTはトレンチFS型の誕生でまたMOSFETはsuperjunction型の誕生で特性限界に近づきつつあり、いよいよSiCに代表されるワイドバンドギャップパワー半導体の登場も現実味を帯びてきた。どんな素子がいつごろ本格的にマーケットに登場するのか? 特長は?課題は?
最新の技術動向を解説しながら、特性や製造プロセスの特異性など、素子設計、製造プロセス、またアプリケーションの立場を通して多角的な観点から詳細に説明する。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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