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パワーデバイスの最新動向およびパッケージ・実装技術と高信頼度化

パワーデバイスの最新動向およびパッケージ・実装技術と高信頼度化

愛知県 開催 会場 開催 個別相談付き
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概要

本セミナーでは、最新パワーデバイスの技術動向とパッケージ技術、実装技術の全容について詳解いたします。

開催日

  • 2014年4月10日(木) 10時30分 ～ 16時00分

受講対象者

  • パワーデバイスの熱対策が必要な製品の技術者、開発者
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 鉄道車両
    • 定置電源
    • 白物家電 など
  • パワーデバイス (IGBT・SiC)用の高熱伝導材料、高耐熱実装に関連する技術者

修得知識

  • 最新パワーデバイスの状況
  • 適用アプリケーション
  • パワーデバイスパッケージ技術
  • パワーデバイス実装技術
  • CAE技術の概要 など

プログラム

　太陽光発電や風力発電などの創エネルギー、ハイブリッドカー/電気自動車などのCO2削減、エアコン用インバーターや産業用インバーターなどの省エネが益々重要になっている中、その中核を担う、パワーエレクトロニクス、それを支えるパワーデバイスに関して最新の動向を説明するとともに、次世代のIGBTやSiC-MOSなどの特長を活かすためのパッケージ技術・実装技術 (小型化・高放熱化・高耐熱化・高信頼度化) に関して詳細に説明する。

  1. パワー半導体の種類と適用分野
    1. パワー半導体とは?
    2. パワー半導体の動作原理と適用回路例
    3. パワー半導体の適用分野とアプリケーション例
  2. 最新パワーデバイスの動向
    1. SJ-MOS
    2. IGBT
    3. RB-IGBT
    4. SiCデバイス
  3. パワーモジュールのパッケージ技術、実装技術
    1. パワーモジュールパッケージの種類と動向
    2. パワーモジュールパッケージ技術の重要な要素技術と課題 小型化・高放熱化・高耐熱化・高信頼度化
    3. EV/HEV用パワーモジュールの小型・軽量化技術
  4. SiCデバイスのモジュール技術
    1. SiCデバイスモジュール技術の課題 小型化、高温化、高信頼度化など
  5. パワーモジュールにおける最新CAE技術とまとめ
    1. パワーモジュール開発におけるCAE技術適用の考え方
    2. 放熱、熱・応力、振動シミュレーション例
  6. まとめと今後に向けて
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会場

愛知県産業労働センター ウインクあいち

11F 1106

愛知県 名古屋市中村区 名駅4丁目4-38
愛知県産業労働センター ウインクあいちの地図
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主催

株式会社 R&D支援センター
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)

割引特典について

  • R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
    • 1名でお申込みいただいた場合、1名につき43,750円 (税別) / 47,250 円 (税込)
    • 2名同時にお申し込みいただいた場合、2名で46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)
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