太陽光発電や風力発電などの創エネルギー、ハイブリッドカー/電気自動車などのCO2削減、エアコン用インバーターや産業用インバーターなどの省エネが益々重要になっている中、その中核を担う、パワーエレクトロニクス、それを支えるパワーデバイスに関して最新の動向を説明するとともに、次世代のIGBTやSiC-MOSなどの特長を活かすためのパッケージ技術・実装技術 (小型化・高放熱化・高耐熱化・高信頼度化) に関して詳細に説明する。

1. パワー半導体の種類と適用分野
   1. パワー半導体とは?
   2. パワー半導体の動作原理と適用回路例
   3. パワー半導体の適用分野とアプリケーション例
2. 最新パワーデバイスの動向
   1. SJ-MOS
   2. IGBT
   3. RB-IGBT
   4. SiCデバイス
3. パワーモジュールのパッケージ技術、実装技術
   1. パワーモジュールパッケージの種類と動向
   2. パワーモジュールパッケージ技術の重要な要素技術と課題 小型化・高放熱化・高耐熱化・高信頼度化
   3. EV/HEV用パワーモジュールの小型・軽量化技術
4. SiCデバイスのモジュール技術
   1. SiCデバイスモジュール技術の課題 小型化、高温化、高信頼度化など
5. パワーモジュールにおける最新CAE技術とまとめ
   1. パワーモジュール開発におけるCAE技術適用の考え方
   2. 放熱、熱・応力、振動シミュレーション例
6. まとめと今後に向けて