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パワーデバイスの最新動向およびパッケージ・実装技術と高信頼度化
パワーデバイスの最新動向およびパッケージ・実装技術と高信頼度化
愛知県 開催
会場 開催
個別相談付き
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、最新パワーデバイスの技術動向とパッケージ技術、実装技術の全容について詳解いたします。
開催日
- 2014年4月10日(木) 10時30分 ～ 16時00分
受講対象者
- パワーデバイスの熱対策が必要な製品の技術者、開発者
- ハイブリッド車
- 電気自動車
- 鉄道車両
- 定置電源
- 白物家電 など
- パワーデバイス (IGBT・SiC)用の高熱伝導材料、高耐熱実装に関連する技術者
修得知識
- 最新パワーデバイスの状況
- 適用アプリケーション
- パワーデバイスパッケージ技術
- パワーデバイス実装技術
- CAE技術の概要 など
プログラム
太陽光発電や風力発電などの創エネルギー、ハイブリッドカー/電気自動車などのCO2削減、エアコン用インバーターや産業用インバーターなどの省エネが益々重要になっている中、その中核を担う、パワーエレクトロニクス、それを支えるパワーデバイスに関して最新の動向を説明するとともに、次世代のIGBTやSiC-MOSなどの特長を活かすためのパッケージ技術・実装技術 (小型化・高放熱化・高耐熱化・高信頼度化) に関して詳細に説明する。
- パワー半導体の種類と適用分野
- パワー半導体とは?
- パワー半導体の動作原理と適用回路例
- パワー半導体の適用分野とアプリケーション例
- 最新パワーデバイスの動向
- SJ-MOS
- IGBT
- RB-IGBT
- SiCデバイス
- パワーモジュールのパッケージ技術、実装技術
- パワーモジュールパッケージの種類と動向
- パワーモジュールパッケージ技術の重要な要素技術と課題 小型化・高放熱化・高耐熱化・高信頼度化
- EV/HEV用パワーモジュールの小型・軽量化技術
- SiCデバイスのモジュール技術
- SiCデバイスモジュール技術の課題 小型化、高温化、高信頼度化など
- パワーモジュールにおける最新CAE技術とまとめ
- パワーモジュール開発におけるCAE技術適用の考え方
- 放熱、熱・応力、振動シミュレーション例
- まとめと今後に向けて
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)
割引特典について
- R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
- 1名でお申込みいただいた場合、1名につき43,750円 (税別) / 47,250 円 (税込)
- 2名同時にお申し込みいただいた場合、2名で46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)
- 案内登録をされない方は、1名につき46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)
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