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AIデータセンターへ向けたパワー半導体の開発動向と実装技術、課題

AIデータセンターへ向けたパワー半導体の開発動向と実装技術、課題

～「常時高負荷状態」「連続運転」「長期信頼性」を実現するSiC/GaNデバイス実装への要求特性とは?～
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開催日

  • 2026年4月17日(金) 10時30分 ～ 16時00分

修得知識

  • パワー半導体デバイスの最新技術動向とその市場動向
  • パワー半導体最新応用動向
  • シリコンパワーデバイスの強みとSiC/GaN パワーデバイスの特長と課題
  • SiC/GaNパワー半導体デバイス最新技術動向

プログラム

第1部 SiC/GaNデバイスの開発動向とデータセンター/xEVなどへの応用展望

(2026年4月17日 10:30〜12:00)

　2026年現在、AI・クラウド・IoTの急速な普及により、データセンターの電力消費と処理密度はかつてないほどの高水準に達していると言われている。この消費電力削減のためには電源アーキテクチャの革新をもたらす省電力技術が必要不可欠であり、それを実現するための切り札の一つとして、新材料GaN (窒化ガリウム) パワー半導体デバイスの普及が期待されている。一方、xEV向けではSiC市場が踊り場にある中でも、高耐圧・低損失特性により車載インバータ等での採用が徐々に進んでいる。しかしながらGaNパワー半導体デバイスが得意とする電力容量・周波数領域ではシリコンMOSFETが、またSiCが得意な大容量用途ではIGBTが、まだまだ主役として君臨している。
　本セミナーでは、最強のライバルであるシリコンMOSFET、IGBTからSiC/GaNパワー半導体デバイスの開発技術の現状と今後の動向について、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

  1. パワーデバイスの動向と開発のポイント
    1. パワーデバイスの適用分野
      • データセンター・サーバーへの実装
      • EV / PHV
    2. 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
  2. 競合するシリコンパワーデバイス最新技術動向
    1. パワー半導体デバイス市場の現在と将来
    2. MOSFET特性改善を支える技術
    3. IGBT特性改善次の一手
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. SiC-MOSFET普及拡大のための4つの課題
    2. 特性改善・信頼性向上
    3. 実装技術の動向
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. GaN-HEMTの特徴と課題
    2. GaN-HEMTの最新技術 (高耐圧化)
    3. 縦型GaNデバイスの最新動向
  5. まとめ
    • 質疑応答

第2部 縦型GaNデバイスの真の社会実装に向けたQST x CFBによる新技術

(2026年4月17日 13:10〜14:10)

　カーボンニュートラル達成に向け、次世代パワー半導体は成長市場として注目されており、中でも縦型GaNパワーデバイスは、高い性能ポテンシャルのため期待されております。しかし、普及には課題があります。
　本セミナーでは、縦GaNの普及課題を明確化し、信越化学様のQST基板とOKIのCFB技術の共創による、縦型GaNの普及に向けた新技術をご紹介いたします。

  1. 次世代パワー半導体の動向
    1. 取り巻く環境
    2. 市場動向
    3. GaNの高い性能ポテンシャル
    4. GaNの課題
  2. QSTの紹介
    1. QST基板構造と特長
    2. 驚異的な特性の実現
    3. 普及可能な大口径化の実現
    4. GaNデバイス実績とCFBとの親和性
  3. CFBの紹介
    1. 歴史
    2. 量産実績
    3. 技術概要
    4. ビジネスモデル
  4. QST x CFBの課題解決
    1. 縦型GaNの課題解決
    2. 縦型GaNのプロセス提案
    • 質疑応答

第3部 パワー半導体銀焼結接合における機械信頼性と銅粒子添加の効果

(2026年4月17日 14:30〜16:00)

　パワー半導体素子のダイボンディングとして期待されるナノ銀焼結接合について、現状の技術課題に加え、銅ならびに酸化銅微粒子を混入させた場合の技術的利点などを実験結果とともに紹介する。

  1. パワー半導体接合の現状と課題
  2. ナノ銀焼結接合
    1. ナノ銀ペースト
    2. ナノ銀焼結膜の機械信頼性
    3. SiCダイアタッチの熱機械信頼性
    4. ナノ銀焼結膜の破壊メカニズム
  3. 銅粒子添加ナノ銀焼結接合
    1. 銅粒子含有ナノ銀ペースト
    2. 銅粒子添加の効果
  4. 酸化銅ナノ粒子添加ナノ銀焼結接合
    1. 酸化銅ナノ粒子の合成
    2. 酸化銅ナノ粒子添加の効果
  5. まとめ
    • 質疑応答
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講師

  • 岩室 憲幸 氏
    筑波大学 数理物質系 物理工学域
    教授
  • 谷川 兼一 氏
    沖電気工業株式会社 グローバルマーケティングセンター CFB事業開発部
    マネージャー
  • 生津 資大 氏
    京都先端科学大学 工学部
    教授
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主催

株式会社 技術情報協会
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: 55,000円 (税別) / 60,500円 (税込)
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    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
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    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
    • 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 200,000円(税別) / 220,000円(税込)
    • 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 230,000円(税別) / 253,000円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 請求書は、代表者にご送付いたします。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミック割引

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  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
  • 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
  • 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 Zoomのシステム要件 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
  • 開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
    ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
    印刷物は後日お手元に届くことになります。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
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