技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2024年9月17日〜10月1日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2024年9月27日まで承ります。
本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。
現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード (SBD) 、金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。
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「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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2025/3/7 | 設計者CAE 構造解析編 (強度) | オンライン |
発行年月 | |
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2024/11/29 | パワーデバイスの最新開発動向と高温対策および利用技術 |
2024/9/13 | 世界のAIデータセンターを支える材料・デバイス 最新業界レポート |
2024/8/30 | 次世代パワーデバイスに向けた高耐熱・高放熱材料の開発と熱対策 |
2024/6/19 | 半導体・磁性体・電池の固/固界面制御と接合・積層技術 |
2024/4/30 | 次世代半導体用の難加工結晶材料のための超精密加工技術 |
2024/2/26 | EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
2024/2/26 | EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書 |
2023/9/29 | 先端半導体製造プロセスの最新動向と微細化技術 |
2023/4/28 | 次世代半導体パッケージの最新動向とその材料、プロセスの開発 |
2022/11/29 | 半導体製造プロセスを支える洗浄・クリーン化・汚染制御技術 |
2022/10/31 | 半導体製造におけるウェット/ドライエッチング技術 |
2022/7/27 | 次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術 |
2022/6/17 | 2022年版 電子部品市場・技術の実態と将来展望 |
2022/6/13 | パワー半導体〔2022年版〕 |
2022/6/13 | パワー半導体〔2022年版〕 (CD-ROM版) |
2021/12/10 | 2022年版 スマートデバイス市場の実態と将来展望 |
2021/11/12 | レジスト材料の基礎とプロセス最適化 |
2021/6/18 | 2021年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望 |
2020/12/11 | 2021年版 スマートデバイス市場の実態と将来展望 |
2020/7/17 | 2020年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望 |