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自動車の電動化に向けたシリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

自動車の電動化に向けたシリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

～パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向 / Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題 / パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測 / シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術 / SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術～
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    概要

    本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

    開催日

    • 2025年4月30日(水) 10時30分 ～ 16時30分

    受講対象者

    • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
      • 電気・エネルギー関連
      • 電力変換回路
      • 自動車
      • ハイブリッド車
      • 電気自動車
      • 電車
      • PC
      • 家電
      • エレベータ
      • インバーター
      • 無停電電源装置 など

    修得知識

    • パワー半導体デバイス、半導体パッケージの最新技術動向
    • Si – MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
    • パワー半導体デバイス、SiC/GaNの市場予測
    • シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術
    • SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術
    • 酸化ガリウムパワーデバイス技術など

    プログラム

    　2025年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。現在その進展のスピードはやや減速していると言われているが、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。
    　そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、また最近注目され始めてきた新材料酸化ガリウムパワーデバイスの動向や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

    1. パワーエレクトロニクス (パワーエレクトロニクス) とはなに
      1. パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
      2. パワー半導体の種類と基本構造
      3. パワーデバイスの適用分野
      4. 最近のトピックスから
      5. パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
      6. シリコンMOSFET・IGBTの伸長
      7. ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
      8. パワーデバイス開発のポイント
    2. 最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
      1. パワーデバイス市場の現在と将来
      2. MOSFET特性改善を支える技術
      3. IGBT特性改善を支える技術
      4. IGBT薄ウェハ化の限界
      5. IGBT特性改善の次の一手
      6. 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
      7. シリコンIGBTの実装技術
    3. SiCパワーデバイスの現状と課題
      1. 半導体デバイス材料の変遷
      2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
      3. なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
      4. 各社はSiC-IGBTではなくSiC – MOSFETを開発する。なぜか?
      5. SiC-MOSFETのSi – IGBTに対する勝ち筋
      6. SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
      7. SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
      8. 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
      9. SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
      10. 内蔵ダイオード信頼性向上技術
    4. GaNパワーデバイスの現状と課題
      1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
      2. GaNデバイスの構造
      3. SiCとGaNデバイスの狙う市場
      4. GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
      5. GaN-HEMTのノーマリ – オフ化
      6. GaN-HEMTの最新技術動向 (高耐圧化へ向けて)
      7. 縦型GaNデバイスの最新動向
    5. 酸化ガリウムパワーデバイスの現状
      1. 酸化ガリウムの特徴は何
      2. 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
    6. SiCパワーデバイス実装技術の進展
      1. SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
      2. 銀または銅焼結接合技術
      3. SiC-MOSFETモジュール技術
    7. まとめ
      • 質疑応答
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    講師

    • 岩室 憲幸 氏
      筑波大学 数理物質系 物理工学域
      教授
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    主催

    サイエンス＆テクノロジー 株式会社
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    お問い合わせ

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    受講料

    1名様
    : 38,200円 (税別) / 42,020円 (税込)
    複数名
    : 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込)

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      • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
      • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
    • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
    • 請求書は、代表者にご送付いたします。
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    • 他の割引は併用できません。
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    アカデミー割引

    教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

    • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
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    2025/4/11 半導体パッケージの基礎と将来展望 オンライン
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    2025/4/23 自動車産業の現状と今後の課題・展望 2025 オンライン
    2025/4/24 次世代パワーデバイス技術の展望と課題 オンライン
    2025/4/24 AI、MI、機械学習、データサイエンスなどを用いた半導体・電気電子分野における開発効率化、製造および品質向上への活用 オンライン
    2025/4/24 パワー半導体用SiCの単結晶成長技術およびウェハ加工技術の開発動向 オンライン
    2025/4/24 半導体ウェット洗浄技術の基礎と乾燥技術、および最先端技術 オンライン
    2025/4/25 半導体製造におけるプロセスインフォマティクスの活用技術 オンライン
    2025/4/28 自動車リサイクルの日本および世界の現状と今後のリサイクル戦略 オンライン
    2025/4/29 自動車産業の現状と今後の課題・展望 2025 オンライン
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    2022/5/6 EV、PHEV、HEVと燃料電池車の環境・走行性能分析 (書籍+PDF版)
    2022/5/6 EV、PHEV、HEVと燃料電池車の環境・走行性能分析 (書籍版)
    2022/4/15 2022年版 スマートモビリティ市場の実態と将来展望
    2022/2/4 世界のxEV、車載用LIB・LIB材料 最新業界レポート
    2021/12/10 2022年版 スマートデバイス市場の実態と将来展望
    2021/11/12 レジスト材料の基礎とプロセス最適化
    2021/9/30 自動車室内の静粛性向上と、防音・防振技術、材料の開発
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