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自動車の電動化に向けたシリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

自動車の電動化に向けたシリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

～パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向 / Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題 / パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測 / シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術 / SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術～
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    概要

    本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

    開催日

    • 2025年4月30日(水) 10時30分 ～ 16時30分

    受講対象者

    • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
      • 電気・エネルギー関連
      • 電力変換回路
      • 自動車
      • ハイブリッド車
      • 電気自動車
      • 電車
      • PC
      • 家電
      • エレベータ
      • インバーター
      • 無停電電源装置 など

    修得知識

    • パワー半導体デバイス、半導体パッケージの最新技術動向
    • Si – MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
    • パワー半導体デバイス、SiC/GaNの市場予測
    • シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術
    • SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術
    • 酸化ガリウムパワーデバイス技術など

    プログラム

    　2025年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。現在その進展のスピードはやや減速していると言われているが、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。
    　そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、また最近注目され始めてきた新材料酸化ガリウムパワーデバイスの動向や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

    1. パワーエレクトロニクス (パワーエレクトロニクス) とはなに
      1. パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
      2. パワー半導体の種類と基本構造
      3. パワーデバイスの適用分野
      4. 最近のトピックスから
      5. パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
      6. シリコンMOSFET・IGBTの伸長
      7. ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
      8. パワーデバイス開発のポイント
    2. 最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
      1. パワーデバイス市場の現在と将来
      2. MOSFET特性改善を支える技術
      3. IGBT特性改善を支える技術
      4. IGBT薄ウェハ化の限界
      5. IGBT特性改善の次の一手
      6. 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
      7. シリコンIGBTの実装技術
    3. SiCパワーデバイスの現状と課題
      1. 半導体デバイス材料の変遷
      2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
      3. なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
      4. 各社はSiC-IGBTではなくSiC – MOSFETを開発する。なぜか?
      5. SiC-MOSFETのSi – IGBTに対する勝ち筋
      6. SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
      7. SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
      8. 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
      9. SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
      10. 内蔵ダイオード信頼性向上技術
    4. GaNパワーデバイスの現状と課題
      1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
      2. GaNデバイスの構造
      3. SiCとGaNデバイスの狙う市場
      4. GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
      5. GaN-HEMTのノーマリ – オフ化
      6. GaN-HEMTの最新技術動向 (高耐圧化へ向けて)
      7. 縦型GaNデバイスの最新動向
    5. 酸化ガリウムパワーデバイスの現状
      1. 酸化ガリウムの特徴は何
      2. 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
    6. SiCパワーデバイス実装技術の進展
      1. SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
      2. 銀または銅焼結接合技術
      3. SiC-MOSFETモジュール技術
    7. まとめ
      • 質疑応答
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    講師

    • 岩室 憲幸 氏
      筑波大学 数理物質系 物理工学域
      教授
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    主催

    サイエンス＆テクノロジー 株式会社
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    お問い合わせ

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    受講料

    1名様
    : 38,200円 (税別) / 42,020円 (税込)
    複数名
    : 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込)

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      • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
      • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
    • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
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    アカデミー割引

    教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

    • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
    • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
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