技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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(2025年4月24日 10:00〜11:30)
SiCパワーMOSFETは急速に市場が広がる一方で、その性能の改善の余地が大きく残されている。特に改善が必須と考えられているのはゲートスタック形成技術であるものの、SiO2ゲート絶縁膜とSiCの界面においては、SiとSiO2で構成した旧来のゲートスタック技術では想定しなかった様々な現象が問題となり、その克服なしにはSiCゲートスタック特性の飛躍的な改善は望めない。
本セミナーでは、なぜSiCパワーデバイスがSiよりも優れた特性を実現できるのかを理解した上で、SiO2とSiCの界面で生じる現象と、その材料学的な理解について議論する。特に界面欠陥パッシベーションプロセスの設計に不可欠となる、SiC表面酸化反応や表面窒化反応のしくみについての解説を行う。
(2025年4月24日 12:15〜13:45)
GaNは半導体の中でも特に用途が多岐にわたる半導体である。発光デバイスや、高周波トランジスタは既に実用化され、生活になくてはならないものとして利用されています。また、大きなバンドギャップと絶縁破壊電界強度に由来するパワーエレクトロニクス用のデバイス材料としての適性も有しており、この分野では現行のSi、SiCに次ぐ世代の材料であるとされています。
本講演では特にパワーデバイスの分野においてGaNを用いたデバイスの動向、課題、今後の展望についてGaNの結晶からデバイスまでの範囲で解説します。
(2025年4月24日 14:00〜15:30)
喫緊の課題である地球温暖化を防ぐために世界中で低炭素社会実現を目指した取り組みが行われています。エレクトロニクス分野では、電力変換の高効率化が必要不可欠であり、そのためにはシリコンデバイスを超える高性能なパワーデバイスが必須です。日本発のパワーデバイス材料である酸化ガリウムは、その材料特性の持つ利点から炭化ケイ素デバイスや窒化ガリウムデバイスを凌ぐ高効率パワーデバイスの実現が期待されています。また、シリコン同様に融液成長法によりバルク製造が可能なため、安価に大口径単結晶基板を得られる可能性があり、コスト面においても大きなアドバンテージを持つと考えられます。さらに、酸化ガリウムデバイスは、高温、放射線、腐食性ガス環境にも耐えうる物性から極限環境におけるIoTを実現するデバイスとしての応用へも期待されています。
本講演では、酸化ガリウムのバルク製造技術、エピタキシャル膜成長技術、パワースイッチングデバイス開発の進展について解説します。
〜大口径ウエハ結晶成長とパワー半導体〜
(2025年4月24日 15:45〜17:15)
「ダイヤモンド半導体」が、次世代パワー半導体として注目を浴びている。近年、インチ径の大口径ウエハが結晶成長できるようになり、実用レベルのパワー半導体が作製できるようになった。
本セミナーでは、基礎から最近の研究開発の成果内容をわかりやすく解説する。具体的には、パワー半導体デバイスの基礎原理、ダイヤモンドの物性、ダイヤモンドの結晶成長技術、その原理、最近開発した大口径ウエハの結晶成長技術、ダイヤモンドのパワー半導体の作製方法、動作原理、現在のデバイス性能、解決すべき技術的課題と今後の見通しを解説する。セミナーでは、受講者からの質問にも、できるだけわかりやすく答えながら、進めてゆくつもりです。
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| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
|---|---|---|---|
| 2025/9/1 | オフライン電源の設計 (1) | オンライン | |
| 2025/9/10 | GaNパワーデバイスの特性と横型・縦型デバイスの開発状況・応用展開 | オンライン | |
| 2025/9/11 | データセンター向け光インターコネクトの最新動向と光電融合技術 | オンライン | |
| 2025/9/11 | オフライン電源の設計 (2) | オンライン | |
| 2025/9/18 | 半導体封止材用エポキシ樹脂・硬化剤・硬化促進剤の種類と特徴および新技術 | オンライン | |
| 2025/9/18 | 設計者CAE 構造解析編 (強度) | オンライン | |
| 2025/9/22 | オフライン電源の設計 (3) | オンライン | |
| 2025/9/26 | 先進半導体パッケージの技術動向と三次元集積化プロセス開発の道程 | オンライン | |
| 2025/9/29 | 電子回路の公差設計入門 | オンライン |
| 発行年月 | |
|---|---|
| 2012/6/15 | 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
| 2012/4/25 | GaNパワーデバイスの技術展開 |
| 2012/4/15 | Intel 【米国特許版】 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2011/11/15 | 半導体露光装置 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2010/8/1 | '11 EMC・ノイズ対策業界の将来展望 |
| 2010/6/5 | 半導体技術10社 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2010/5/14 | SiCパワーデバイス最新技術 |
| 2009/4/17 | '09 ノイズ対策関連市場の将来展望 |
| 2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版) |
| 2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 |
| 1999/10/29 | DRAM混載システムLSI技術 |
| 1999/2/26 | ソフトスイッチング電源技術 |
| 1993/3/1 | 電源系統における高調波歪規制と対策/測定技術 |
| 1992/11/11 | VLSI試験/故障解析技術 |
| 1991/6/1 | 高周波スイッチングコンバータ高性能化技術 |
| 1990/6/1 | LSI周辺金属材料・技術 |
| 1988/10/1 | 高密度表面実装 (SMT) におけるLSIパッケージング技術 |
| 1988/2/1 | 半導体の故障モードと加速試験 |
| 1985/12/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ) |
| 1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |