技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、大きな可能性を秘めた新しいパワー半導体材料として注目されている二酸化ゲルマニウムを取り上げ、二酸化ゲルマニウムの基礎的な物性や世界の研究状況について解説いたします。
昨今、パワー半導体業界には新材料による新たな市場形成が始まっています。例えばSiCはこの10年間の大幅な低価格化により徐々に市場に浸透し始めており、高周波デバイス用途ではGaNが絶対的な地位を築こうとしています。そして近い将来、SiCやGaNより大きなバンドギャップをもつより高性能なデバイスが必要になります。しかし、新材料が市場で受け入れられるには厳しい条件をクリアしなければいけません。それは1基板、薄膜、加工のコストが低い、2SiCやGaNよりも優れた低損失性、3p型とn型のドーピング手法による作製の実現性、の3つが基本条件です。
本セミナーではその条件をクリアし、候補材料となり得る新しいパワー半導体材料であるルチル構造二酸化ゲルマニウム (r-GeO2) の物性や作製手法についてお話をします。
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また、4名様以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、3名様受講料 + 3名様を超える人数 × 15,400円(税込)でご受講いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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発行年月 | |
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