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新しいパワー半導体材料 二酸化ゲルマニウムの特徴と可能性

新しいパワー半導体材料 二酸化ゲルマニウムの特徴と可能性

オンライン 開催

概要

本セミナーでは、大きな可能性を秘めた新しいパワー半導体材料として注目されている二酸化ゲルマニウムを取り上げ、二酸化ゲルマニウムの基礎的な物性や世界の研究状況について解説いたします。

開催日

  • 2024年8月5日(月) 13時00分 15時00分

受講対象者

  • 材料系の技術者、開発者
  • SiCやGaN、酸化ガリウム等のパワー半導体材料の技術者、開発者
  • 半導体業界の新材料に関心がある方

修得知識

  • GeO2の半導体としての特徴
  • GeO2の研究状況

プログラム

 昨今、パワー半導体業界には新材料による新たな市場形成が始まっています。例えばSiCはこの10年間の大幅な低価格化により徐々に市場に浸透し始めており、高周波デバイス用途ではGaNが絶対的な地位を築こうとしています。そして近い将来、SiCやGaNより大きなバンドギャップをもつより高性能なデバイスが必要になります。しかし、新材料が市場で受け入れられるには厳しい条件をクリアしなければいけません。それは1基板、薄膜、加工のコストが低い、2SiCやGaNよりも優れた低損失性、3p型とn型のドーピング手法による作製の実現性、の3つが基本条件です。
 本セミナーではその条件をクリアし、候補材料となり得る新しいパワー半導体材料であるルチル構造二酸化ゲルマニウム (r-GeO2) の物性や作製手法についてお話をします。

  1. SiC、GaNの今後の動向
  2. 新しいパワーデバイス材料、二酸化ゲルマニウム (r-GeO2) の可能性
    1. r-GeO2の可能性
      • バンドギャップ4.6 eV
      • p型とn型が作製可能 (理論予測)
      • 高い移動度、安価に基板作製可能
    2. なぜ、r-GeO2の薄膜合成は困難なのか?
    3. r-GeO2厚膜の合成
    4. r-GeO2混晶
    5. 世界のr-GeO2研究

講師

主催

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 32,000円 (税別) / 35,200円 (税込)
複数名
: 16,000円 (税別) / 17,600円 (税込)

案内割引・複数名同時申込割引について

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    • 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 59,000円(税別) / 64,900円(税込)
    • 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 73,000円(税別) / 80,300円(税込)
  • Eメール案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 32,000円(税別) / 35,200円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 64,000円(税別) / 70,400円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 96,000円(税別) / 105,600円(税込)
    • 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 128,000円(税別) / 140,800円(税込)
    • 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 160,000円(税別) / 176,000円(税込)

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
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  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
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