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金子 健太郎

所属

立命館大学
総合科学技術研究機構

役職

教授

学位

博士 (工学)

経歴

  • 2011年3月 株式会社FLOSFIA 共同創業
  • 2013年3月 京都大学 大学院 工学研究科 電子工学専攻 博士課程 修了
    博士 (工学) 取得 (指導教員:藤田静雄教授)
  • 2013年4月〜12月 日本学術振興会 特別研究員 (PD)
    (受入研究者: 京都大学 大学院 工学研究科 田中勝久 教授)
  • 2014年1月〜 京都大学 大学院 工学研究科 助教 (藤田静雄研究室)
  • 2018年 京都大学 大学院 工学研究科 講師
  • 2022年 立命館大学 総合科学技術研究機構 教授

これまで、酸化ガリウム (Ga2O3) の基礎開拓からパワーデバイス応用、p型の酸化イリジウム (Ir2O3) とのpn接合デバイス作製、200nm以下の真空紫外発光が可能な酸化マグネシウム亜鉛 (MgZnO) など、超ワイドバンドギャップ半導体の物性研究を行って参りました。膨大な数の酸化物から宝探し (新材料探索) をする事を軸に研究を行っています。
2021年からは二酸化ゲルマニウム (GeO2) などの新しいパワーデバイス材料の開拓もはじめています。

著書

  • 2017年 第38回 本多記念研究奨励賞
  • 2018年 文部科学大臣表彰 若手科学者賞

受賞

  • 2012年 応用物理学会 講演奨励賞
  • 2012年 EMS賞
  • 2015年 井上研究奨励賞
  • 2015年 船井研究奨励賞
  • 2016年 エヌエフ基金 研究開発奨励賞&優秀賞
  • 2017年 高柳健次郎研究奨励賞
  • 2017年 京都SMI中辻賞
  • 2017年 本多記念研究奨励賞
  • 2017年 安藤博記念学術奨励賞
    他6度受賞

講演するセミナー

会場 開催方法
2024/8/5 新しいパワー半導体材料 二酸化ゲルマニウムの特徴と可能性 オンライン