第1章 先端半導体パッケージ技術とその構造、プロセス技術

第1節 次世代半導体パケージFOLPの構造とその応用展開

• 1.FOLPの基本構造
  • 1.1 プロセスの違い
  • 1.2 プロセスフロー
  • 1.3 RDL-First法のメリット
  • 1.4 パッケージ構造
• 2.FOLPプロセス技術の応用による適用デバイスの拡大
  • 2.1 パワー電源系パッケージへの技術応用
  • 2.2 Chipletモジュール

第2節 チップレットの進化へ向けたシリコンブリッジの接合・封止技術

• 1.チップレットパッケージのニーズと進化
• 2.シリコンブリッジパッケージの構造とプロセス
• 3.シリコンブリッジパッケージの利点と課題
• 4.シリコンブリッジパッケージの接合・封止技術
  • 4.1 NCPを用いたブリッジチップ接合
  • 4.2 ジェットディスペンサーを用いたブリッジチップのマイクロバンプ封止技術
• 5.シリコンブリッジパッケージの進化と展望

第3節 無電解めっきによる3次元LSIのTSV形成技術

• 1.無電解めっきによるTSVへのバリアメタル堆積
• 2.無電解バリア上への直接電解Cuめっき技術

第4節 高密度2D/3D実装のための高精度配線形成技術

• 1.3D・Chipletが引き起こす微細化要求とPlasm dry process技術
• 1.1 2.xD RDL・Interposer配線形成への応用
• 1.2 3D IC TSV配線形成への応用

第5節 インプリント技術による10μmピッチ配線、バンプの形成

• 1.背景
  • 1.1 LSIピン数トレンド
  • 1.2 LSIパッドピッチトレンド
  • 1.3 SiP集積化動向
• 2.低温フリップチップ接合
  • 2.1 狭ピッチ化の基盤技術として
  • 2.2 低温フリップチップ接合基本プロセスフロー
  • 2.3 応用事例
• 3.インプリント技術による配線、バンプ形成
  • 3.1 なぜインプリント技術か?
  • 3.2 インプリント技術基本プロセスフロー
  • 3.3 ハードレプリカを用いた10μmピッチ配線およびバンプ同時形成
  • 3.4 ソフトレプリカを用いた基板配線段差部への配線形成

第6節 有機インターポーザを用いた2.3D構造パッケージの開発と電気特性解析

• 1.有機インターポーザを用いた2.3D構造パッケージの概要
  • 1.1 シリコンインターポーザを用いた2.5Dパッケージとの比較
  • 1.2 構造とデザインルール
• 2.大型有機インターポーザの開発
• 3.電気特性解析
  • 3.1 Logic-HBM間接続配線の検討
  • 3.2 伝送特性解析

第7節 大判化するWLP/PLPのモールディング技術

• 1.パッケージング技術の要求課題
  • 1.1 大判化要求サイズ
  • 1.2 大判化パッケージングの課題
• 2.パッケージングの大判化技術
  • 2.1 コンプレッション成形技術
  • 2.2 樹脂均一供給技術
  • 2.3 真空成形技術
• 3.WLP/PLP樹脂封止装置の課題
  • 3.1 装置のクリーン対応

第2章 次世代パワー半導体の実装技術と放熱対策

第1節 CASEに向けた車載機器の変化と実装技術の動向、課題

• 1.CASEに向けた車の機能と車載機器の進化
• 2.C, A, S (コネクテッド, 自動運転,シェアリング&サービス) に向けた車載機器と実装構造
• 3.E (電動化) に向けた車載機器と実装構造
• 4.CASEに向けた車載機器実装構造の変化
• 5.AD・ADASシステム機器の詳細実装構造 (ミリ波レーダの例)
• 6.電動化機器の詳細実装構造 (パワーコントロールユニットの例)
• 7.電動化機器の小型・低背化に向けた実装技術の動向

第2節 有機絶縁材料を用いたパワーモジュールの開発動向と高放熱化技術

• 1.パワーモジュールの構造と絶縁材料
  • 1.1 パワーモジュール向け絶縁層の現状
• 2.有機絶縁型パワーモジュールの進化
  • 2.1 有機絶縁型パワーモジュールの変遷
  • 2.2 有機絶縁層を有する新型パワーモジュール
• 3.さらなるモジュール高性能化の動向
  • 3.1 高放熱化のトレンド
  • 3.2 高温動作化

第3節 次世代ワイドバンドギャップ半導体向けパワーモジュールパッケージ技術

• 1.開発したパワーモジュールFLAPの概要
  • 1.1 パワーモジュールの諸元
  • 1.2 耐熱性 Tc_max = 200°C
  • 1.3 パッケージインダクタンスLs
  • 1.4 熱抵抗Rth_j-c
• 2.FLAPの電気的特性評価
  • 2.1 静特性評価
  • 2.2 動特性評価
• 3.FLAPの信頼性評価

第4節 表面実装型パワー半導体パッケージの熱抵抗とその測定

• 1.表面実装型パワー半導体パッケージの構造と熱の流れ
  • 1.1 表面実装型パワー半導体パッケージの外観及び主要な内部構造
  • 1.2 表面実装型パワー半導体パッケージにおける熱の流れ
• 2.表面実装型パワー半導体パッケージの熱抵抗
  • 2.1 従来から使用されている半導体パッケージの熱抵抗とその課題
  • 2.2 熱の流れを考慮した表面実装型半導体パッケージの熱抵抗の定義
  • 2.3 表面実装型半導体パッケージの熱抵抗の変動
• 3.表面実装型パワー半導体パッケージの熱インピーダンス分布の作成
  • 3.1 熱回路網の基礎理論と熱インピーダンス分布の概要
  • 3.2 熱インピーダンス分布作成のための測定
  • 3.3 Cauer型熱回路網の同定
  • 3.4 熱インピーダンス分布

第3章 半導体封止材料の設計、要求特性と特性向上技術

第1節 半導体封止材の特性を引き出す設計とトラブル要因、その対策

• 1.変性エポキシ樹脂の設計の基本
• 2.パワーデバイス向け封止材
  • 2.1 パワーデバイス向け封止材の設計
  • 2.2 パワーデバイス向け封止材のトラブルとトレンドへの対応
• 3.ICパッケージ向け封止材
  • 3.1 ICパッケージ向け封止材の設計
  • 3.2 ICパッケージ向け封止材のトラブル事例とトレンドへの対応

第2節 半導体封止材向けエポキシ樹脂への要求特性と高機能設計

• 1.エポキシ樹脂とは
• 2.一般的なエポキシ樹脂の合成方法
• 3.電気信頼性の向上
• 4.耐熱性 (ガラス転移点) の向上
• 5.耐熱分解性の向上
• 6.熱伝導性の向上
• 7.誘電特性の向上

第3節 脂環式エポキシ樹脂の物性と半導体分野への応用

• 1.脂環式エポキシ樹脂の合成法
• 2.脂環式エポキシ樹脂の種類と性状
• 3.脂環式エポキシ樹脂の反応性と硬化物物性
  • 3.1 脂環式エポキシ樹脂の反応性
  • 3.2 酸無水物の硬化物物性
  • 3.3 熱カチオンの硬化物物性
  • 3.4 UVカチオンの硬化物物性
  • 3.5 フェノール 樹脂 の硬化物物性
• 4.脂環式エポキシ樹脂の代表的な用途
• 5.脂環式エポキシ樹脂の高耐熱の取組について
• 6.半導体分野に向けた脂環式エポキシ樹脂の取組について

第4節 メソゲン骨格エポキシ樹脂の設計と熱伝導性・耐熱性

• 1.メソゲン基構造と液晶配向性
• 2.硬化剤構造の影響
• 3. 無機フィラーとの複合化効果
• 4.多官能型メソゲン骨格エポキシ樹脂
• 5.変性剤としてのメソゲン骨格エポキシの添加効果

第5節 ハロゲンフリー触媒反応による絶縁材料用途エポキシ化合物の合成技術

• 1.背景とターゲット化合物
  • 1.1 エポキシ樹脂とエポキシ化合物
  • 1.2 エポキシ化合物におけるハロゲンフリーの意義
• 2.塩素フリーエポキシ化合物の合成戦略
  • 2.1 過酸化水素酸化技術
  • 2.2 塩素フリーエポキシ化合物合成のための2段階触媒反応
• 3.アリルエーテルからグリシジルエーテルへの酸化反応
  • 3.1 均一系触媒反応
  • 3.2 固体触媒反応
• 4.塩素フリーなアリルエーテルの合成反応
  • 4.1 均一系触媒反応
  • 4.2 固体触媒反応
• 5.今後の固体触媒開発における課題

第6節 高耐熱柔軟性フルオレンエポキシの開発と応用

• 1.フルオレンとは
  • 1.1 フルオレンエポキシとは
• 2.高耐熱性への取り組み
  • 2.1 フルオレンエポキシの耐熱性
  • 2.2 耐熱変色性
  • 2.3 溶解性
• 3.柔軟性付与への取り組み
  • 3.1 フルオレンエポキシの柔軟性付与

第7節 異形異種酸化物微粒子のh-BNナノ粒子複合フィラーの充填によるエポキシ樹脂の高熱伝導率化に関するコンポジット設計

• 1.コンポジット設計方針
• 2. (h-BN + シリカ) /エポキシ樹脂系ナノコンポジットの調製法
  • 2.1 h-BNおよびシリカナノ粒子のエポキシ樹脂への分散・複合化戦略
  • 2.2 (h-BN + シリカ) ナノ粒子複合フィラーの予備調製
  • 2.3 (h-BN + シリカ) /エポキシ樹脂系ナノコンポジットの調製
• 3. (h-BN + シリカ) /エポキシ樹脂系ナノコンポジットの熱物性評価結果
  • 3.1 本系ナノコンポジットの熱伝導率
  • 3.2 本系ナノコンポジットの線熱膨張係数

第8節 クリストバライト充填エポキシ樹脂の力学特性

• 1.実験
  • 1.1 原料
  • 1.2 クリストバライト球状粒子の作製
  • 1.3 クリストバライト球状粒子充填エポキシ樹脂の作製
  • 1.4 表面処理を施した粒子を充填したエポキシ樹脂の作製
  • 1.5 粒子充填エポキシ樹脂試験片に対する熱処理
  • 1.6 引張試験
• 2.結果と考察
  • 2.1 クリストバライト球状粒子充填エポキシ樹脂 (CPTCL/EP) の引張特性
  • 2.2 熱処理を施したクリストバライト球状粒子充填エポキシ樹脂 (Heated-CPTCL/EP) の引張特性
  • 2.3 表面処理を施したクリストバライト球状粒子を充填したエポキシ樹脂に熱処理を施した試料 (Heated-CPTCL-ST/EP) の引張特性

第4章 半導体実装における接着、接合技術と信頼性評価

第1節 はんだ付け用フラックスと実装不具合の発生原因と対策

• 1.はんだ付け用フラックス
  • 1.1 はんだ付け
  • 1.2 フラックスの役割
  • 1.3 フラックス成分の概要
  • 1.4 フラックスの各成分
• 2.はんだ実装不良—基板要因
  • 2.1 パッド表面処理
• 3.はんだ実装不良
  • 3.1 ソルダーペースト印刷
  • 3.2 はんだボール
  • 3.3 はんだ未溶融
  • 3.4 ボイド
• 4.はんだ部の信頼性

第2節 鉛フリーはんだの機械的特性と接合信頼性評価

• 1.微小試験片による鉛フリーはんだの機械的特性評価
  • 1.1 各種鉛フリーはんだの引張特性
  • 1.2 Sn-Sb-Ag系高温鉛フリーはんだの機械的特性
• 2.パワーサイクル模擬試験によるSn-Sb-Ag系高温鉛フリーはんだの接合信頼性評価

第3節 Snウィスカの発生メカニズムとその抑制方法

• 1.Snウィスカの成長メカニズム
  • 1.1 Snウィスカを成長させる5つの圧縮応力の発生源
• 2.対策
• 3.Snウィスカの試験方法
• 4.偽ウィスカ
  • 4.1 SnOウィスカ
• 5.低温実装でのリスク
  • 5.1 実基板でのSnウィスカの発生状況
  • 5.2 JEITAで実施したSnウィスカ試験
  • 5.3 低温実装品での室温放置試験後でのSnウィスカの発生メカニズム
• 6.Snウィスカを取り巻く環境の変化

第4節 有限要素法を用いたはんだ接合部の強度評価

• 1.強度評価
• 2.解析対象
• 3.有限要素法を用いた非弾性熱応力シミュレーション
  • 3.1 解析対象のモデル化
  • 3.2 物性値
  • 3.3 境界条件・負荷条件
  • 3.4 解析結果
  • 3.5 破断寿命の推定結果

第5節 Agナノペーストの接合技術とパワーデバイスへの適応

• 1.Agナノ粒子の接合メカニズム
  • 1.1 Agナノ粒子
  • 1.2 低温接合
  • 1.3 Cuへの接合理論
• 2.接合方法と注意点
  • 2.1 加圧接合技術
  • 2.2 大面積接合への展開
  • 2.3 簡易加圧接合法
• 3.Ni接合の評価
  • 3.1 Niへのダイレクトボンディング
  • 3.2 高温での接合とメカニズム
  • 3.3 Niめっきへの接合評価

第6節 銀塩焼結接合技術の開発と大面積銅板接合

• 1.銀塩ペースト焼結接合
  • 1.1 銀塩ペースト
  • 1.2 大面積銅板接合プロセス
• 2.銀塩ペースト焼結と大面積銅板接合の結果
  • 2.1 銀塩ペースト焼結挙動
  • 2.2 大面積銅板接合強度
  • 2.3 接合構造の断面観察
  • 2.4 剪断試験後の破壊面
  • 2.5 界面酸化防止メカニズム
• 3.高温放置信頼性試験
  • 3.1 接合強度の評価
  • 3.2 接合断面観察

第7節 パワー半導体用銅ナノ粒子接合技術と特性評価

• 1.Cuナノ粒子接合
  • 2.1 加圧Cuナノ粒子接合
  • 2.2 無加圧Cuナノ粒子接合
• 2.接合材料の特性評価
  • 2.1 試料の構造
  • 2.2 初期特性
  • 2.3 信頼性
  • 2.4 備考

第8節 半導体実装を支える低温・短時間硬化接着剤

• 1.日邦産業の低温・短時間硬化接着剤
  • 1.1 SnBi/樹脂複合接着剤
  • 1.2 融点変化型はんだペースト
  • 1.3 超短時間硬化接着剤
  • 1.4 70°C/30分硬化一液接着剤
  • 1.5 リペア対応接着剤
  • 1.6 マイクロカプセル型異方導電性接着剤
  • 1.7 大面積チップ-樹脂基板接合用アンダーフィル

第9節 半導体チップの高密度実装用新規接着剤の開発

• 1.次世代半導体チップ高密度実装技術
  • 1.1 技術トレンド
  • 1.2 接合技術
• 2.MAの設計と接合特性
• 3.ハイブリッド接合を用いたチップ積層
  • 3.1 プロセスイメージ
  • 3.2 CMP加工
  • 3.3 異物吸収性
  • 3.4 熱スライド
  • 3.5 樹脂はみだし
  • 3.6 ハイブリッド接合
• 4.MAの信頼性
  • 4.1 恒温恒湿加速試験 (HAST)
  • 4.2 Cuイオンマイグレーション試験

第10節 先端半導体の実装工程に用いる粘接着フィルム・テープの設計とその解析、評価

• 1.半導体パッケージの技術動向と粘接着フィルム・テープの進歩
  • 1.1 半導体パッケージの組み立て工程および技術動向
  • 1.2 粘接着フィルム・テープの種類と要求仕様
• 2.新たな評価・解析法および材料設計
  • 2.1 評価・解析の必要性
  • 2.2 高次構造制御による粘着力、接着力の制御
  • 2.3 界面制御による接着信頼性の向上
  • 2.4 反応性制御によるプロセス適性の付与

第11節 アルミニウム被覆銅ワイヤのパワーサイクル試験と信頼性向上

• 1.実験
  • 1.1 サンプル組立
  • 1.2 パワーサイクル試験
  • 1.3 有限要素解析のための材料物性測定
  • 1.4 有限要素解析モデルの作成
  • 1.5 パワーサイクル試験時の熱応力解析
• 2.結果・考察
  • 2.1 テストサンプルの温度特性測定結果
  • 2.2 パワーサイクル試験結果
  • 2.3 同じジャンクション温度差におけるパワーサイクル寿命の比較
  • 2.4 非弾性応力ひずみ解析結果
  • 2.5 アルミニウムワイヤ接合部とアルミニウム被覆銅ワイヤ接合部の疲労寿命
  • 2.6 銅オーバーパッドメタルの厚化によるワイヤ接合部の長寿命化

第12節 薄型AEセンサを用いたワイヤボンディングの接合良否判定

• 1.提案システムの概要
• 2.薄型AEセンサによる接合部近傍での弾性波取得
• 3.アンサンブルMT法による良否判定
• 4.卓上型マニュアルウェッジワイヤボンダを用いた有効性評価

第13節 リードフレーム用銅ニッケル合金の表面に及ぼす電解酸化水の影響

• 1.電解酸化水の生成方法,特性およびリードフレーム用銅ニッケル合金の試料片
  • 1.1 電解酸化水の生成および特性
  • 1.2 リードフレーム用銅ニッケル合金試料片
• 2.リードフレーム用銅ニッケル合金に対するエッチング作用
  • 2.1 未加熱処理の圧延素材
  • 2.2 加熱処理済みの圧延表面
• 3.使用片表面のミクロ形状への影響
  • 3.1 未加熱処理の試料片表面
  • 3.2 加熱処理済みの試料片表面
• 4.試料片表面における化学組成への影響

第14節 半導体パッケージにおける超音波接合技術と微細組織観察

• 1.超音波と接合工法の中の超音波接合
• 2.半導体パッケージ製造工程における超音波接合
• 3.ワイヤボンディング
  • 3.1 ボールボンディング
  • 3.2 ウェッジボンディング
• 4.超音波接合における界面現象と微細組織
  • 4.1 ボールボンディングにおける界面現象
  • 4.2 ウェッジボンディングにおける界面現象と微細組織観察

第5章 プリント配線板の材料技術と配線形成、加工技術

第1節 次世代高速通信向けプリント配線板用フィルムの開発

• 1.高速通信用多層基板とその製法
  • 1.1 多層基板の作製方法:ビルドアップ工法
  • 1.2 多層基板の作製方法:一括多層法
• 2.一括多層プロセスに適用される樹脂材料
  • 2.1 液晶ポリマー
  • 2.2 ポリアリールエーテルケトン
• 3.PAEK系熱可塑性樹脂フィルム”IBUKITM”
  • 3.1 PAEK系熱可塑性樹脂フィルム”IBUKITM”の低温加工性
  • 3.2 PAEK系熱可塑性樹脂フィルム”IBUKITM”の用途例
• 4.高速通信向け一括多層基板用材料樹脂フィルム”New-IBUKITM”
  • 4.1 高速通信向け一括多層基板用材料樹脂フィルム”New-IBUKITM”の低誘電特性
  • 4.2 高速通信向け一括多層基板用材料樹脂フィルム”New-IBUKITM”の伝送損失特性
  • 4.3 高速通信向け一括多層基板用材料樹脂フィルム”New-IBUKITM”の高温時の誘電特性
  • 4.4 高速通信向け一括多層基板用材料樹脂フィルム”New-IBUKITM”の厚み方向のCTE

第2節 高周波用ふっ素樹脂多層基板の開発動向

• 1.最近のふっ素基板の市場動向について
• 2.なぜふっ素樹脂基板なのか
• 3.ふっ素樹脂基板の種類、製法
• 4.ミリ波向け基板材料への要求事項
  • 4.1 低損失化
  • 4.2 低線膨張係数化
  • 4.3 薄型化
  • 4.4 比誘電率の低バラツキ化
• 5.ふっ素樹脂基板多層化ソリューション
• 6.今後の技術の展開の可能性

第3節 マルチワイヤ配線板の開発動向と高集積化への対応

• 1.MWBの特徴
  • 1.1 回路形成
  • 1.2 電気特性
• 2.MWBの開発動向
  • 2.1 Φ0.050mmワイヤ開発
  • 2.2 今後のMWB開発動向
• 3.MWBの高集積化への対応
  • 3.1 Φ0.050mmワイヤと板間接合構造
  • 3.2 層数アップの検討

第4節 プリント配線板に求められる大電流高放熱対応技術

• 1.プリント配線板における放熱技術分類
  • 1.1 基板構造による放熱技術
  • 1.2 材料による放熱技術
• 2.基板構造による放熱性向上技術の概要
  • 2.1 サーマルスルホール
  • 2.2 厚銅基板
  • 2.3 メタルコア基板
  • 2.4 銅インレイ基板
  • 2.5 メガスルホール
  • 2.6 銅ポスト基板
  • 2.7 部品内蔵配線板の概要
• 3.放熱効果のシミュレーション
  • 3.1 熱抵抗シミュレーション
  • 3.2 許容電流値
• 4.メタルベース基板構造での放熱技術
  • 4.1 低弾性材料基板
  • 4.2 高放熱材料基板
  • 4.3 高放熱高絶縁基板の製造における技術的課題
  • 4.4 高放熱絶縁基板 (IMS) の特長
  • 4.5 2層構造メタルベース基板

第5節 小型表面実装部品のための基板放熱設計

• 1.電子機器の小型化と基板放熱設計
  • 1.1 電子機器の実装形態と放熱経路の変化
  • 1.2 電子部品の小型化と放熱設計の課題
  • 1.3 基板放熱の重要性と部品の温度規定
• 2.基板放熱設計に用いる指標:熱抵抗
  • 2.1 基板放熱設計の指標としての熱抵抗
  • 2.2 目標熱抵抗と単体熱抵抗
  • 2.3 熱抵抗による熱対策の選別
• 3.基板放熱活用のための部品レイアウト及びパターン設計
  • 3.1 ライン状パターンにおけるレイアウトと温度上昇
  • 3.2 高熱流束部品の活用と基板放熱設計

第6節 低粗度、高接着性を有する銅箔表面処理技術と高周波伝送特性

• 1.CuTAP技術
• 2.性能評価
  • 2.1 評価銅箔
  • 2.2 銅箔表面状態の確認
  • 2.3 接着性評価
  • 2.4 配線寸法精度
  • 2.5 伝送損失
  • 2.6 アンテナ利得

第7節 紫外線照射による樹脂基板上へのパターニングと無電解Ni-Pの選択析出

• 1.高周波用低誘電特性材料とめっきプロセス
• 2.無電解ニッケルーリンシード層を用いる高周波用配線形成
  • 2.1 本研究の概念図
  • 2.2 本研究の実験方法
  • 2.3 液晶ポリマー上へのめっき
  • 2.4 アセチレン・ブタジエン・スチレン樹脂
  • 2.5 ポリフェニレンサルファイド樹脂

第8節 高速・高精度・微細印刷パターニング技術

• 1.微細印刷パターニング技術
• 2.反転オフセット印刷と付着力コントラスト印刷の概要
  • 2.1 反転オフセット印刷プロセス
  • 2.2 付着力コントラスト印刷プロセス
  • 2.3 微細パターニング例
• 3.微細印刷に用いられるインク材料
  • 3.1 印刷可能な材料とインク処方
  • 3.2 インクの半乾燥と印刷品質
  • 3.3 パターニングメカニズム
• 4.印刷装置
  • 4.1 印刷装置の種類
  • 4.2 長寸法精度の検証
• 5.ゴム変形の影響と応用プロセス
  • 5.1 ゴム変形の接触力学
  • 5.2 層間接続プロセス
  • 5.3 歪み近接効果
  • 5.4 底あたりとプッシュプルプロセス

第9節 銅マイクロ粒子のレーザ焼結による液晶高分子基板への配線形成技術

• 1.銅マイクロ粒子のレーザ焼結
  • 1.1 銅マイクロ粒子ペースト
  • 1.2 銅マイクロ粒子ペースト塗布膜の光吸収
  • 1.3 液晶高分子基板の光学特性
  • 1.4 銅マイクロ粒子レーザ焼結法
• 2.LCP基板への銅マイクロ粒子レーザ焼結膜の形成と評価
  • 2.1 LCP基板への銅マイクロ粒子レーザ焼結膜形成
  • 2.2 LCP基板上の銅マイクロ粒子レーザ焼結膜の引張試験
  • 2.3 黒色LCP基板上に形成した銅マイクロ粒子レーザ焼結膜の静電容量測定

第10節 半導体パッケージ基板の微細配線化に対応した平坦化技術

• 1.研削、切削による平坦化技術
  • 1.1 研削
  • 1.2 バイト切削
• 2.ビルドアップ基板への平坦化技術の応用
  • 2.1 コア基板内層の平坦化
  • 2.2 コア基板最外層の平坦化
  • 2.3 ビルドアップ絶縁樹脂層の平坦化
  • 2.4 ビア配線の平坦化
  • 2.5 ビア配線/ビルドアップ樹脂層の平坦化
  • 2.6 チップ埋込基板の封止樹脂と配線金属の平坦化

第11節 次世代先端ICパッケージを支えるドリル加工技術

• 1.プリント配線板、パッケージサブストレートコアのメカニカルドリリング
  • 1.1 プリント配線板用ドリルとNCボール盤
  • 1.2 ドリルに求められる性能
  • 1.3 ドリルの設計
• 2.次世代FC-BGAパッケージサブストレートコア向けのドリル開発
  • 2.1 FC-BGAパッケージサブストレートコア材のメカニカルドリリングの動向
  • 2.2 DLCコートドリル
  • 2.3 コア材料とDLCコートドリルの改良の取り組み

第12節 真空紫外線を利用した半導体パッケージプロセスへの応用技術

• 1.半導体パッケージ技術への期待と課題
  • 1.1 高周波信号の伝送ロス対策
  • 1.2 セミアディティブプロセスにおける平滑界面の実現アプローチ
• 2.真空紫外線について
  • 2.1 キセノンエキシマランプの特長
  • 2.2 真空紫外線の作用
  • 2.3 樹脂材料の真空紫外線吸収特性
• 3.真空紫外線を利用した密着改善技術
  • 3.1 真空紫外線照射による無電解めっき層の密着性改善
  • 3.2 レーザービアの小径化プロセスでの平滑化対応プロセス
  • 3.3 銅ダイレクトスパッタシードの密着性改善

第13節 電子回路を樹脂成形品に埋設する技術とプリント基板フリー化

• 1.電子回路の樹脂成形品への埋設方法
  • 1.1 電子機器製造工程数の削減
  • 1.2 電子回路の樹脂成形品への埋設工程
  • 1.3 3Dプリンタの適用
• 2.電子回路の埋設構造例
  • 2.1 超薄型構造
  • 2.2 立体回路構造
  • 2.3 柔軟な電子機器
  • 2.4 透明樹脂成形品への電子回路埋設
  • 2.5 既存設計品への電子回路埋設
• 3.技術仕様
  • 3.1 使用可能な樹脂成形材と電子部品
  • 3.2 印刷回路の設計仕様
  • 3.3 導電回路と樹脂成形品,電子部品電極の接合構造
  • 3.4 長期信頼性

第6章 熱対策部材の開発動向と熱物性評価

第1節 異方性改善と高熱伝導性を両立した窒化ホウ素フィラーの開発

• 1.樹脂用高熱伝導フィラー
  • 1.1 六方晶窒化ホウ素 (h-BN) の熱伝導率
  • 1.2 h-BNフィラー
• 2.熱伝導異方性のないh-BNフィラー
  • 2.2 凝集多面体h-BNフィラーの合成
  • 2.1 多面体BNフィラーを添加したエポキシ複合材料の熱伝導率

第2節 フィラーの最密充填とハイブリッドによるポリマー系複合材料の高熱伝導化

• 1.熱伝導性フィラーの種類と形状
• 2.複合材料の粘度とフィラー粒度分布の関係
• 3.フィラーの最密充填構造設計技術
• 4.フィラーのハイブリッド化による伝熱ネットワーク形成技術

第3節 液晶性化合物を利用した高熱伝導化と低誘電材料への応用展開

• 1.重合性液晶化合物 (PLC)
• 2.重合性液晶化合物 (PLC) の分子デザイン
  • 2.1 コア構造の設計
  • 2.2 リンカーの設計
  • 2.3 側方基の設計
  • 2.4 重合性基の選択
• 3.重合性液晶化合物 (PLC) の合成方法
• 4.重合性液晶化合物 (PLC) の使用方法
• 5.重合性液晶化合物 (PLC) を用いた高熱伝導樹脂
  • 6.5G/6Gに向けた取り組み

第4節 高熱伝導性グラファイトの特性、複合化技術と熱対策部品への活用

• 1.高熱伝導グラファイトの特性
  • 1.1 構造
  • 1.2 表面状態
  • 1.3 グラファイトにおける熱の伝わり
  • 1.4 熱伝導と応力緩和
• 2.複合化技術
  • 2.1 従来の複合化技術
  • 2.2 異種材料との接合
  • 2.3 グラファイトによる伝熱方向のコントロール
• 3.熱対策部品への活用について
  • 3.1 ヒートスプレッダーとして
  • 3.2 絶縁基板として
  • 3.3 冷却器として
• 4.評価
  • 4.1 金属品の熱特性
  • 4.2 熱サイクル試験
  • 4.3 柱状品の定常解析
  • 4.4 柱状品の熱特性

第5節 積層型ベーパーチャンバーの開発動向と半導体熱問題への応用

• 1.ベーパーチャンバーの研究開発動向
  • 1.1 ベーパーチャンバーの動作原理と構成
  • 1.2 冷媒とその特性
  • 1.3 ウィック構造とその特性
  • 1.4 蒸発器・凝縮器の構成
• 2.積層型ベーパーチャンバーFGHPについて
  • 2.1 積層型ベーパーチャンバーFGHPRの開発コンセプトと構成
  • 2.2 ベーパーチャンバーに関する統一的な評価指標と積層型ベーパーチャンバーFGHPの特性1
    - 受熱部面積基準の総括伝熱係数を用いた方法 –
  • 2.3 ベーパーチャンバーに関する統一的な評価指標と積層型ベーパーチャンバーFGHPの特性2
    - 異方性熱伝導率を用いた方法 –
• 3.積層型ベーパーチャンバーFGHPRによる高輝度・省エネルギー型LED照明の開発
  • 3.1 既存の大光量LED照明の課題
  • 3.2 積層型ベーパーチャンバーFGHPをLED実装基板として用いた高輝度LED水中照明

第6節 自励振動型ヒートパイプの動作原理、熱輸送性能と小型電子機器への応用

• 1.ヒートパイプとは
• 2.自励振動型ヒートパイプとは
• 3.PHPの動作原理
• 4.各種パラメータによる熱輸送性能への影響
  • 4.1 流路形状とターン数s
  • 4.2 作動流体の物性値と封入率
  • 4.3 設置姿勢と各種寸法割合
• 5.PHPに関する既存の研究
• 6.研究事例の紹介
  • 6.1 Flat Plate型PHP
  • 6.2 マイクロPHP

第7節 放熱材料の熱物性 (熱伝導率、放射率、熱膨張、熱応力) の評価技術

• 1.半導体パッケージの放熱に関わる要求特性
• 2.熱物性評価技術
• 3.熱伝導率
  • 3.1 熱伝導率の評価方法
  • 3.2 熱伝導率測定の事例紹介
• 4.放射率
  • 4.1 放射率の評価方法
  • 4.2 放射率の事例紹介
• 5.熱膨張率、及び熱応力
  • 5.1 熱膨張率、及び熱応力の評価方法
  • 5.2 熱膨張率、及び熱応力の事例紹介
• 6.熱物性の複合化 _{熱伝導率の熱膨張率補正}

第7章 半導体パッケージの解析、検査技術

第1節 半導体パッケージのバンプ高さ検査技術

• 1.バンプ高さ検査
  • 1.1 バンプ
  • 1.2 バンプ高さ検査
• 2.バンプ高さ計測技術
  • 2.1 光切断法
  • 2.2 縞パターン投影法
  • 2.3 共焦点法
  • 2.4 白色光干渉法
• 3.高速共焦点法によるバンプ高さ計測
  • 3.1 共焦点法の高速化
  • 3.2 高速共焦点法の計測動作
  • 3.3 マイクロバンプ計測例

第2節 実装基板へのJTAGテスト/バウンダリスキャンテストの活用方法

• 1.バウンダリスキャンテストの動向
  • 1.1 電子部品のパッケージの高密度化
  • 1.2 実装基板の変化
  • 1.3 BGA実装基板の故障モード
  • 1.4 バウンダリスキャンの誕生と時代背景
• 2.バウンダリスキャンテスト技術
  • 2.1 バウンダリスキャン・アーキテクチャ
  • 2.2 バウンダリスキャンによる実装基板テストの仕組み
• 3.高密度実装基板の故障解析事例
  • 3.1 テスト環境
  • 3.2 テスト結果と故障解析
  • 3.3 統計データの活用

第3節 超音波映像装置による半導体・電子部品の非破壊検査技術

• 1.超音波による非破壊検査技術の原理
• 2.超音波検査の分解能
• 3.微小欠陥検出に向けた技術開発
• 4.自動欠陥検出に向けた技術開発