技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

SiCウェハ表面の構造・形態制御と超平坦化技術

SiCウェハ表面の構造・形態制御と超平坦化技術

~デバイス特性に影響を及ぼす半導体表面の形態制御方法を学ぶ / SiCウェハ表面を原子レベルで平坦にする新技術も詳解~
オンライン 開催

概要

本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。

開催日

  • 2024年7月11日(木) 13時00分 16時30分

受講対象者

  • SiCを中心とする半導体関連 (デバイス、結晶成長など) の研究者・技術者
  • 結晶表面のダイナミクスに関する基礎研究者

修得知識

  • SiCの結晶構造および表面形態の基礎
  • SiC半導体表面形態の制御技術
  • SiC表面におけるステップバンチング・アンバンチングとそのメカニズム

プログラム

 SiCはパワーデバイス材料としての利用が急速に進んでいる。SiCの表面は、シリコンと炭素からなる高さ0.25 nmの層が積層した構造を持ち、表面の段差はその最小単位が0.25 nmとなる。このような段差をステップと呼び、ステップを含む表面形態の制御はデバイス特性に大きな影響を及ぼす。
 本講演では、SiCの構造・表面形態やその制御技術について述べた後、ステップバンチング現象と結晶成長、SiC表面におけるグラフェンやカーボンナノチューブの作製、ステップアンバンチング現象などについて紹介する。これらの現象や技術は、原子レベルで平坦な表面を効率的に得る技術として期待される。

  1. 半導体の結晶構造と表面形態
    1. 半導体の結晶構造とバンドギャップ
    2. SiCの結晶構造とSiCパワーデバイス
    3. SiCの結晶学的方位とステップ・テラス構造
    4. 結晶成長と表面形態
  2. 半導体表面形態制御方法
    1. 機械研磨と化学機械研磨 (CMP)
    2. 酸化膜形成とフッ化水素酸によるその除去
    3. 水素エッチング
    4. ステップバンチング現象
    5. SiCにおける2種類のステップバンチングとそのメカニズム
  3. SiC表面へのグラフェン成長とステップバンチング
    1. SiC熱分解法によるグラフェン・カーボンナノチューブの成長
    2. SiCの結晶学的方位によるグラフェン成長の関係
    3. SiC表面形態とグラフェン電子物性の関係
    4. ステップバンチングに及ぼすグラフェンの影響
  4. SiC表面のステップアンバンチング現象
    1. SiC表面のステップバンチング
    2. SiC表面のステップアンバンチング
    3. アンバンチングメカニズムの考察
    4. ステップアンバンチング現象の応用展開
    • 質疑応答

講師

  • 乗松 航
    早稲田大学 基幹理工学部 電子物理システム学科
    教授

主催

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)
複数名
: 40,000円 (税別) / 44,000円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 40,000円(税別) / 44,000円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 132,000円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミック割引

  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
  • 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
  • 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
  • 開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
    ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
    印刷物は後日お手元に届くことになります。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
本セミナーは終了いたしました。

これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2024/11/6 二酸化ゲルマニウム (GeO2) の特徴および最新動向 オンライン
2024/11/12 先端半導体パッケージの技術トレンドと基板材料の開発動向 オンライン
2024/11/12 電子デバイス製造における真空および薄膜形成技術の基礎と応用 東京都 会場・オンライン
2024/11/12 二酸化ゲルマニウム (GeO2) の特徴および最新動向 オンライン
2024/11/13 ウルトラワイドギャップ半導体、次々世代パワー半導体の設計開発、材料素材、今後の展望 オンライン
2024/11/13 先端半導体パッケージの開発動向と今後の展望 オンライン
2024/11/14 2024年最新の半導体動向と半導体製造産業参入へのカギ オンライン
2024/11/15 プラズマを用いたワイドギャップ半導体基板の研磨技術 オンライン
2024/11/18 ALD技術/ALE技術の基礎と半導体材料・デバイスへの応用展開 オンライン
2024/11/19 SiCパワー半導体の最新動向とSiC単結晶ウェハ製造の技術動向 オンライン
2024/11/21 車載用半導体の動向・要求特性と信頼性認定ガイドラインの概要 オンライン
2024/11/22 半導体洗浄の基礎と要点、困ったときの対策 オンライン
2024/11/22 プラズマを用いたワイドギャップ半導体基板の研磨技術 オンライン
2024/11/22 ウェットエッチングの基礎と高精度化およびトラブル対策 会場
2024/11/27 車載用半導体の動向・要求特性と信頼性認定ガイドラインの概要 オンライン
2024/11/28 パワーモジュール実装の最新技術動向 東京都 会場
2024/11/29 半導体パッケージ技術の進化とそれを支える要素技術 オンライン
2024/11/29 半導体封止材・放熱シートの高熱伝導化と開発動向 オンライン
2024/12/3 SiCパワー半導体の最新動向とSiC単結晶ウェハ製造の技術動向 オンライン
2024/12/6 半導体洗浄の基礎と要点、困ったときの対策 オンライン

関連する出版物