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GaN/Siパワーデバイスの開発と適用動向
GaN/Siパワーデバイスの開発と適用動向
～ノーマリオフ化、絶縁膜形成技術、電流コラプス抑制、大口径化～
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、MOCVD法を用いて成長した大口径Si基板上のAlGaN/GaN HEMT構造の結晶成長、デバイス特性及び研究開発動向に関して解説いたします。
開催日
- 2015年10月15日(木) 12時30分 ～ 16時30分
受講対象者
- SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
- 電気・エネルギー関連
- 電力変換回路
- 自動車
- ハイブリッド車
- 電気自動車
- 電車
- PC
- 家電
- エレベータ
- インバーター
- 無停電電源装置 など
プログラム
最近、Si基板上のAlGaN/GaN HEMTを用いたパワーデバイスの研究開発が注目を浴びている。
本講座では、MOCVD法を用いて成長した大口径Si基板上のAlGaN/GaN HEMT構造の結晶成長、デバイス特性及び研究開発動向に関して解説する。
- MOCVDを用いたヘテロエピタキシャル成長
- ヘテロエピタキシャル成長の原理
- Si基板上のGaAs結晶成長
- Si基板上のGaN結晶成長 ～厚膜化および高品質化～
- 各種基板上のGaNの比較 ～Si基板の利点～
- GaN-on-Siのパワーデバイスへの適用
- 研究開発の動向
- GaN-on-Siパワーデバイスの応用分野
- Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造
- 静特性、耐圧、オン抵抗
- V型ピットの与える影響
- 課題と将来展望
- GaN-on-Siの8インチ化
- ALD法を用いた絶縁膜形成技術
- ノーマリオフ特性
- InAlN/GaN HEMT
- GaN-on-Siのまとめ
- 質疑応答・個別質問・名刺交換
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
45,000円 (税別) / 48,600円 (税込)
複数名
:
40,000円 (税別) / 43,200円 (税込)
複数名同時受講割引について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 40,000円(税別) / 43,200円(税込) で受講いただけます。- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 48,600円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 86,400円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 129,600円(税込)
- 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 他の割引は併用できません。
本セミナーは終了いたしました。
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