技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。
AI、IoT、データセンター、ADAS/自動運転、ロボティックス、5G/ポスト5Gなどのデジタル社会を支える重要基盤である高性能ロジックデバイス (MPU/CPU、GPU) やDRAM、NANDフラッシュメモリ、パワーデバイスなどに代表される先端半導体デバイスにおいて、デバイスを構成する微細トランジスタ同士を接続して論理回路を構成する多層配線に対する微細化、高密度化、低抵抗化、低容量化、高信頼化の要求が益々厳しさを増している。配線寸法やViaホール径の微細化に伴う配線・Via抵抗及び配線間容量の増大や、これらに伴う信号伝搬遅延と消費電力の増加、信頼性の低下は世代とともに極めて深刻になりつつある。
そこで、本講ではこれまでの多層配線技術の歴史的変遷を振り返るとともに、Cuダマシン配線の製造プロセスや微細化に伴う配線抵抗増大の課題について詳しく解説した上で、Cu代替金属材料 (Ru、Co、W、Mo、Niなど) やナノカーボン材料 (CNT、グラフェン) の最新の開発動向について述べる。また、Cu配線を取り囲む誘電材料 (絶縁膜) として、配線間容量低減のために低誘電率 (Low-k) 材料を導入した経緯や課題、更なるLow-k化のための多孔質 (Porous) 材料の課題と対策、究極のLow-k技術であるAir-Gap (中空) 技術についても詳細に述べる。
さらに、配線長を大幅に短縮化でき、超ワイドバス化や大容量・高速の信号伝送が可能になるSi貫通孔 (TSV) やウエハレベル貼合プロセスを用いたメモリデバイス (DRAM、NAND) の三次元 (3D) 積層化や、複数の半導体チップ (或いは従来のSoC (System on Chip) チップを機能ごとに分割したチップレット) をパッケージ基板上に近接配置して高性能システムを構成する2.5D/3D異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) についても詳しく解説する。
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資料は抜粋版を送付いたします。
すべてのスライドは配布いたしませんのでご了承ください。
| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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| 2026/6/23 | 半導体デバイス・プロセス開発の実際 (前編) | オンライン | |
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| 2026/6/23 | 設計者CAE 構造解析編 (強度) | オンライン | |
| 2026/6/24 | CMPの基礎と最適なプロセスを実現する実践的総合知識 | オンライン | |
| 2026/6/24 | 半導体デバイス・プロセス開発の実際 (後編) | オンライン | |
| 2026/6/24 | パワーデバイス向けナノ粒子低温接合技術の開発と熱信頼性評価 | オンライン | |
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| 2026/6/25 | 半導体デバイス・プロセス開発の実際 (2日間) | オンライン | |
| 2026/6/25 | 半導体デバイス・プロセス開発の実際 (前編) | オンライン | |
| 2026/6/25 | 半導体デバイス・プロセス開発の実際 (後編) | オンライン | |
| 2026/6/25 | 光容量分光法によるワイドギャップ半導体の欠陥準位評価 | オンライン | |
| 2026/6/25 | オフライン電源の設計 (3日間) | オンライン | |
| 2026/6/25 | オフライン電源の設計 (3) | オンライン | |
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| 2026/6/26 | 光容量分光法によるワイドギャップ半導体の欠陥準位評価 | オンライン | |
| 2026/6/29 | 電子機器・部品の未然防止と故障解析 | オンライン | |
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| 2026/6/29 | CVD/ALDプロセスの反応メカニズムとプロセス最適化 | オンライン |
| 発行年月 | |
|---|---|
| 2024/12/27 | 次世代高速・高周波伝送部材の開発動向 |
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