技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2024年9月17日〜10月1日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2024年9月27日まで承ります。
本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。
現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード (SBD) 、金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。
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複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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2025/1/10 | 半導体先端パッケージに向けた実装技術、材料開発動向 | オンライン | |
2025/1/14 | 先端半導体パッケージに対応する材料・実装技術の開発動向 | オンライン | |
2025/1/15 | SiCウェハの研磨技術と高速化、低ダメージ化 | オンライン |
発行年月 | |
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2012/4/15 | Intel 【米国特許版】 技術開発実態分析調査報告書 |
2011/11/15 | 半導体露光装置 技術開発実態分析調査報告書 |
2010/8/1 | '11 EMC・ノイズ対策業界の将来展望 |
2010/6/5 | 半導体技術10社 技術開発実態分析調査報告書 |
2010/5/14 | SiCパワーデバイス最新技術 |
2009/4/17 | '09 ノイズ対策関連市場の将来展望 |
2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版) |
2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 |
2002/6/12 | RF CMOS回路設計技術 |
1999/10/29 | DRAM混載システムLSI技術 |
1999/2/26 | ソフトスイッチング電源技術 |
1993/3/1 | 電源系統における高調波歪規制と対策/測定技術 |
1992/11/11 | VLSI試験/故障解析技術 |
1991/6/1 | 高周波スイッチングコンバータ高性能化技術 |
1990/6/1 | LSI周辺金属材料・技術 |
1988/10/1 | 高密度表面実装 (SMT) におけるLSIパッケージング技術 |
1988/2/1 | 半導体の故障モードと加速試験 |
1985/12/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ) |
1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |