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プラズマを用いたワイドギャップ半導体基板の研磨技術

プラズマを用いたワイドギャップ半導体基板の研磨技術

~加工原理とSiC, GaN, ダイヤモンドの研磨事例~
オンライン 開催

アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2023年9月27日〜30日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2023年9月28日まで承ります。

概要

本セミナーでは、単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論いたします。

開催日

  • 2023年9月25日(月) 13時00分 16時30分

修得知識

  • プラズマを用いた高能率ダメージフリー研磨技術

プログラム

 パワーデバイス用の単結晶SiC、GaN、ヒートスプレッダや耐摩耗性コーティング用のダイヤモンド等の硬脆機能材料の仕上げ加工には、無歪かつ高能率な研磨能力が要求されます。しかしながら、これらの難加工材料に対して従来の工具と材料の硬度差を利用する物理的な機械加工法を適用すると脆性破壊や塑性変形現象を利用するため、加工面には必然的にダメージが導入され、基板が本来有する優れた物理・化学的性質を維持できません。また、化学機械研磨 (CMP) ではダメージは導入されないものの、研磨レートが低い、薬液を含むスラリーを用いるため環境負荷が大きい、といった問題を有します。
 これらの問題を解決するために、プラズマを用いて難加工材料の表面を改質し、軟質砥粒を用いて軟質な改質膜を除去するプラズマ援用研磨法 (PAP: Plasma – assisted Polishing) が開発されました。本手法を適用するとワイドギャップ半導体材料やダイヤモンドを極めて高能率かつダメージフリーに研磨でき、サブナノメータオーダの表面粗さが得られます。本セミナーでは、プラズマ援用研磨法の原理とその応用例を紹介します。

  1. プラズマの物理
  2. 加工原理
  3. 研磨事例の紹介
    1. 4H-SiC (0001)
    2. GaN (0001)
    3. 単結晶ダイヤモンド
    4. 多結晶ダイヤモンド
    5. AlN焼結基板

主催

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)
複数名
: 22,500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

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「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 36,000円(税別) / 39,600円(税込) で受講いただけます。
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  • R&D支援センターからの案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,000円(税別) / 39,600円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
  • R&D支援センターからの案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

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  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
  • 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
  • 視聴期間は2023年9月27日〜30日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
本セミナーは終了いたしました。

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