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• 株式会社Kanazawa Diamond 取締役
• 株式会社VISION IV 技術顧問

筑波大学にてシリコンゲート絶縁膜、シリコン表面・界面構造制御に関する研究で2005年に博士 (工学) を取得。
その後、産業技術総合研究所でポスドクとしてダイヤモンド研究を開始。主に、ダイヤモンドのホモエピタキシャル成長制御技術を研究。
2009年4月に金沢大学に助教として着任し、ダイヤモンド半導体ウェハ及びデバイスに関する研究を開始。
2011年9月に准教授。2015年2月に金沢大学リサーチプロフェッサー。2018年4月に産業技術総合研究所クロスアポイントフェローを兼任。
2018年12月に金沢大学ナノマテリアル研究所教授。現在に至る。

学生時代に行っていた原子レベルのシリコンゲート絶縁膜、表面・界面構造制御に関する経験を基に、原子レベルのダイヤモンドエピタキシャル成長、ダイヤモンド表面・界面構造制御に関する研究に取り組み、2016年に、世界で初めて反転層ダイヤモンドMOSFETの開発に成功。
現在は、ダイヤモンドウェハの開発からパワーデバイス、量子デバイスに関する研究を一貫して行っている。