技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、性能とコスト・量産性のメリットから、次世代パワー半導体用材料として期待される「酸化ガリウム」について、材料の基礎から、トランジスタ、ショットキーバリアダイオードなどデバイス開発の最新事例、今後の課題と展望を解説いたします。
(2021年1月13日 10:00〜13:40)
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。
本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ、魅力、物性面での課題について述べた後、最新のエピタキシャル成長およびデバイスプロセス研究開発状況、実用化に向けた展望などについて解説する。
(2021年1月13日 14:10〜16:10)
次世代パワーデバイス半導体材料として着目されている酸化ガリウムについて、その肝となるエピタキシャル成長技術のエッセンスを取り扱います。
ハライド気相成長法による酸化ガリウム成長について、熱力学解析に基づいた設計プロセス (原料の選定や成長条件の推量など) を解説した後で、実際の成膜結果とのマッチングをご覧いただき、酸化ガリウムの成長挙動を熱力学的な視点で説明していきます。
また、成長した酸化ガリウム薄膜の物性評価 (結晶性、表面形態、電気的・光学的特性など) をご紹介します。熱力学解析による解釈を適宜織り交ぜ、成長条件が物性に及ぼす影響について解説します。
本講座は、酸化ガリウムという比較的新しい半導体材料に対して、エピ成長の研究開発をどのように進めていったかを学ぶ良い機会になると考えています。また、将来の新材料への取り組みのヒントになれば幸いと思います。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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発行年月 | |
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2010/8/1 | '11 EMC・ノイズ対策業界の将来展望 |
2010/6/5 | 半導体技術10社 技術開発実態分析調査報告書 |
2010/5/14 | SiCパワーデバイス最新技術 |
2009/4/17 | '09 ノイズ対策関連市場の将来展望 |
2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版) |
2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 |
2002/6/12 | RF CMOS回路設計技術 |
1999/10/29 | DRAM混載システムLSI技術 |
1999/2/26 | ソフトスイッチング電源技術 |
1993/3/1 | 電源系統における高調波歪規制と対策/測定技術 |
1992/11/11 | VLSI試験/故障解析技術 |
1991/6/1 | 高周波スイッチングコンバータ高性能化技術 |
1990/6/1 | LSI周辺金属材料・技術 |
1988/10/1 | 高密度表面実装 (SMT) におけるLSIパッケージング技術 |
1988/2/1 | 半導体の故障モードと加速試験 |
1985/12/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ) |
1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |