技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、レジスト、マスク、ペリクル、光源など、各要素技術の開発動向と課題解決へ向けた取り組みについて詳解いたします。
(2019年12月5日 10:00〜11:30)
EUVリソグラフィーは、現在スマートフォンを中心とする7nm nodeのロジックデバイスの量産技術に使われています。今後もEUVリソグラフィー技術は5nm node, 3nm node, 1.5nm nodeの半導体デバイスの量産技術に使われることになっています。
本セミナーでは、この中でEUVリソグラフィー技術の露光波長が13.5nmになった理由等の基礎的な内容をはじめ、これまでのレジスト、マスク、ペリクル、並びに光源開発技術課題の解決に向けた取り組みについて紹介します。また、今後課題となる要素技術についても議論します。さらに、今後の見通しでは、2030年以降のEUVリソグラフィー技術の開発の取り組みについても言及します。
(2019年12月5日 12:10〜13:40)
メモリー、マイクロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっています。本年度は7nmロジックノードのデバイスが実用化され、EUVリソグラフィが導入されています。本講演では、EUVリソグラフィによる微細化を支えるレジストについて、基礎、開発動向、高感度・高解像度化と要求特性、課題と対策、最新技術を解説し、今後の展望についてまとめます。
(2019年12月5日 13:50〜15:20)
(2019年12月5日 15:30〜17:00)
いよいよEUVリソグラフィが7nm nodeのロジックデバイスの量産技術に使われる時代が到来した。それに伴い、EUV用フォトレジストの開発も重要な局面を迎えつつある。そこで、私の担当講座として、特にEUV用フォトレジストの評価技術について紹介したい。EUV露光中のレジストからのアウトガス分析法、EUVレジストの透過率測定法、EUVレジストの感度評価法、およびGCIB TOF – SIM分析による膜内挙動の解析について述べる。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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発行年月 | |
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