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車載用パワー半導体のパッケージ技術

車載用パワー半導体のパッケージ技術

~小型・高信頼性を実現する実装技術の最新動向 / 高耐熱化、大電流化、低熱抵抗化、高放熱化、直接水冷化、次世代SiCパワーデバイス~
東京都 開催 会場 開催

概要

本セミナーでは、自動車 (EV/HEV) への適用に焦点をあて、小型化・高信頼性化を実現するパッケージ技術を解説いたします。
大電力・高耐圧を扱うパワー半導体の実装技術 (接合・封止・絶縁・放熱技術) および信頼性技術について詳解いたします。

開催日

  • 2019年3月8日(金) 13時00分 16時30分

修得知識

  • パワーエレクトロニクス (パワー半導体を用いた電力変換技術) の概要
  • パワー半導体の概要
  • パワー半導体の実装技術全般
    • 接合
    • 封止
    • 絶縁
    • 放熱技術
  • パワー半導体のパッケージ技術
  • 次世代SiCデバイスの自動車への適用効果・課題・最新動向

プログラム

 急速に進展している自動車の電動化。その中で駆動系の電動化にはパワーエレクトロニクス機器が必要不可欠であり、キーデバイスであるパワー半導体においては小型・高信頼性化が求められます。
 本セミナーでは、小型・高信頼性を実現するパワー半導体のパッケージ技術について解説します。さらに、次世代SiCデバイスの自動車への適用効果および課題など最新動向についも解説します。

  1. パワーエレクトロニクスとパワー半導体
    1. パワーエレクトロニクスの重要性
    2. パワーエレクトロニクス機器に対する要求性能
  2. パワー半導体モジュールのパッケージ技術
    1. パワー半導体モジュールの構造と機能
    2. パワー半導体モジュールに対する要求性能
  3. 車載用パワーエレクトロニクス機器の小型化を実現するパッケージ技術
    1. 高耐熱化
    2. 大電流化
    3. 低熱抵抗化
    4. 高放熱化
  4. 車載用直接水冷パワーモジュールの高信頼性化
    1. 直接水冷化の効果および課題
    2. 直接水冷化を実現する高信頼性接合技術
    3. 冷却器の設計
  5. 次世代SiCデバイスの車載機器への適用
    1. SiC適用の効果および課題
    2. 車載用パワー半導体の市場動向
  6. まとめ
    • 質疑応答・名刺交換

講師

  • 両角 朗
    富士電機 株式会社 電子デバイス事業本部 開発統括部 パッケージ開発部
    主査

会場

東京流通センター

2F 第5会議室

東京都 大田区 平和島6-1-1
東京流通センターの地図

主催

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 38,000円 (税別) / 41,040円 (税込)
複数名
: 20,000円 (税別) / 21,600円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 20,000円(税別) / 21,600円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,000円(税別) / 41,040円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 43,200円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 64,800円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。
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