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SiCパワーデバイス実装と高耐熱樹脂材料の開発動向

SiCパワーデバイス実装と高耐熱樹脂材料の開発動向

東京都 開催 会場 開催
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開催日

  • 2018年6月28日(木) 13時30分 ～ 16時30分

プログラム

　パワーデバイスは、省エネルギーの決め手となる半導体素子であり、商用電源からの電気を必要最小限の電力に調節するためのコンバータやインバータに多用されている。その使用範囲は広く、自動車、発電・送電等の産業機器、エアコン等の家電機器、電車・船舶等にわたる。究極の省エネ技術としてSiC等の次世代デバイスの適用が始まっている。200℃を超える温度でも動作可能であるこれらのデバイスをフル活用するために、高温に耐える実装技術開発が必須となっている。
　本セミナーでは、高耐熱樹脂材料開発の現状と評価及び将来方向について解説する。

  1. パワーデバイスを取り巻く環境と市場及びモジュール技術動向
  2. 次世代パワーデバイスSiC、GaNの性能と応用
  3. 次世代パワーデバイスモジュールと実装材料
  4. 半導体用封止材の製造方法と性能
  5. 封止材料用熱硬化性樹脂の耐熱設計
    • 熱硬化性樹脂とは?
    • 耐熱性とは?
    • 実装材への適用課題?
  6. 相互反応及び変性を利用した耐熱性樹脂の可能性
    • エポキシ樹脂
    • ベンゾオキサジン樹脂
    • ビスマレイミド樹脂
    • シアネートエステル樹脂・高耐熱樹脂の技術動向
  7. 信頼性評価
    • パワーサイクルテスト
    • サーマルサイクルテスト
  8. SiC等大電流パワーモジュール実装材料評価
    • プラットフォーム性能確認と大電流SiCチップでの評価
  9. 簡易パッケージ、モジュールを用いた実装材料評価・開発支援
  10. 空冷も加味した大電流パワーモジュール材料開発支援
    • KAMOME A-PJの紹介
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講師

  • 高橋 昭雄 氏
    横浜国立大学 大学院 工学研究院
    産学官連携研究員
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会場

ちよだプラットフォームスクウェア

5F 503会議室

東京都 千代田区 神田錦町3-21
ちよだプラットフォームスクウェアの地図
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主催

株式会社 シーエムシー・リサーチ
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 44,444円 (税別) / 48,000円 (税込)
複数名
: 19,907円 (税別) / 21,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

シーエムシーリサーチからの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。
また、2名以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、2名様目以降は半額 (税込 21,500円)となります。

  • Eメール案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 39,815円(税別) / 43,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 59,722円(税別) / 64,500円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 79,630円(税別) / 86,000円(税込)
  • Eメール案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 44,444円(税別) / 48,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 88,889円(税別) / 96,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 133,333円(税別) / 144,000円(税込)

アカデミック割引

  • 1名様あたり 13,889円(税別) / 15,000円(税込)

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。

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