技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、車載実用化に向けて何が原因なのか、どのように劣化したのか、から具体的な欠陥抑制対策まで解説いたします。
(2015年5月28日 10:00〜11:20)
(2015年5月28日 11:30〜12:50)
(2015年5月28日 13:30〜14:50)
SiC 表面の熱酸化過程と界面原子構造の評価に加え,SiC-MOS デバイスの電気特性劣化との関係を調べた結果について紹介する。またSiO2/SiC 界面のエネルギーバンド構造解析から,基板面方位や酸化膜厚の違いによるSiC-MOS デバイスの信頼性劣化現象について講演する。
(2015年5月28日 15:00〜16:20)
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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発行年月 | |
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2012/4/15 | Intel 【米国特許版】 技術開発実態分析調査報告書 |
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2010/10/28 | 薬物動態(「ヘ」項)試験におけるデータ・試験の信頼性確保・保証とQC・QA手法/タイミング |
2010/8/1 | '11 EMC・ノイズ対策業界の将来展望 |
2010/6/5 | 半導体技術10社 技術開発実態分析調査報告書 |
2010/5/14 | SiCパワーデバイス最新技術 |
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1999/10/29 | DRAM混載システムLSI技術 |
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1993/4/1 | はんだ接続の高信頼性化技術とその評価 |
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