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喜多 浩之

所属

東京大学
大学院 新領域創成科学研究科

役職

教授

学位

博士 (工学)

専門

  • 半導体デバイス
  • 材料工学

経歴

  • 2001年10月 東京大学 大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻 助手
  • 2007年4月 東京大学 大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻 講師
  • 2010年4月 東京大学 大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻 准教授
  • 2022年4月 東京大学 大学院 新領域創成科学研究科 教授

CMOS用高誘電率ゲート絶縁膜技術の開発、GeチャネルCMOSプロセス開発、SiCパワーデバイス用ゲート絶縁膜技術の開発など、一貫して材料科学に基づく半導体-絶縁膜界面反応の理解とデバイス特性制御に関する研究に従事。

受賞

  • 2004年3月講演奨励賞, MIS飽和容量から評価したHfO2/GeとHfO2/Siにおける界面反応の違い, 応用物理学会
  • 2005年9月SSDM Paper Award, Dielectric Constant Increase of Yttrium-Doped HfO2 by Structural Phase Modification, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
  • 2008年9月Best Presentation Award, Dramatic Improvement of GeO2/Ge MIS Characteristics by Suppression of GeO Volatilization, Electrochemical Society (ECS) , Dielectric Science Division
  • 2011年9月応用物理学会論文賞, Systematic Investigation of the Intrinsic Channel Properties and Contact Resistance of Monolayer and Multilayer Graphene Field-Effect Transistor, 応用物理学会
  • 2017年4月APEX/JJAP Editorial Contribution Award, 応用物理学会
  • 2019年11月 IWDTF Best Paper Award, Investigation of Thermal Oxidation-induced Lattice Distortion at the Surface of 4H-SiC and Its Origins, International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices
  • 2021年11月 IWDTF Best Paper Award, Manipulation of Interfacial Dipole Effect at Perovskite Oxide Heteroepitaxial Interface by Stacking Sequence of Monatomic Layers in LaAlO3, International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices
  • 2022年4月 IOP Outstanding Reviewer Award 2021

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会場 開催方法
2025/4/24 次世代パワーデバイス技術の展望と課題 オンライン