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喜多 浩之

所属

東京大学
大学院 工学系研究科
マテリアル工学専攻

役職

准教授

学位

博士 (工学)

専門

  • 半導体デバイス
  • 材料工学

経歴

  • 2001年10月 東京大学 大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻 助手
  • 2007年4月 東京大学 大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻 講師
  • 2010年4月 東京大学 大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻 准教授

CMOS用高誘電率ゲート絶縁膜技術の開発、GeチャネルCMOSプロセス開発、SiCパワーデバイス用ゲート絶縁膜技術の開発など、一貫して材料科学に基づく半導体-絶縁膜界面反応の理解とデバイス特性制御に関する研究に従事。