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LSI設計の実戦ノウハウとプロセス知識

製品品質確保のための

LSI設計の実戦ノウハウとプロセス知識

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目次

第1章 LSIの設計に備えて

  • 1. LSI設計の必要要素
  • 2. プロセスと設計の関わり
  • 3. 設計と品質保証の関わり
  • 4. 設計検証とミスの低減

第2章 豊かな半導体知識

  • 1. 半導体物理の概要
  • 2. 半導体の実際
  • 3. 半導体物性と設計の関わり

第3章 デバイスの知識

  • 1. MOSトランジスタの発展
    • 1.1 バイポーラトランジスタ
    • 1.2 MOSトランジスタ
    • 1.3 Nチャンネルdepletion型MOSトランジスタ
    • 1.4 Pチャンネルenhancement型MOSトランジスタ
    • 1.5 表面準位、表面電荷密度
  • 2. MOSトランジスタのチャンネル電位
  • 3. 負荷MOSトランジスタ
  • 4. CMOS LSI
  • 5. SOI
  • 6. LDD MOSトランジスタ

第4章 プロセスの知識

  • 1. CMOS ICのプロセス概要
  • 2. 個々のプロセス工程
    • 2.1 パターニング
    • 2.2 熱酸化
    • 2.3 拡散
    • 2.4 気相成長
    • 2.5 金属配線
  • 3. シリコンLSI構成材料のまとめ
  • 4. 組立工程
  • 5. プロセスと設計の関わり

第5章 LSIの回路設計

  • 1. ブール代数
  • 2. Adder
  • 3. Gate
    • 3.1 多入力のGate
    • 3.2 CMOS特有のGate構成
  • 4. Flip-flop
  • 5. カウンター
    • 5.1 BCD 10進カウンター
    • 5.2 BCD 6進カウンター
    • 5.3 BCD N進カウンター
  • 6. 水晶発振回路
    • 6.1 水晶振動子
    • 6.2 水晶発振回路
    • 6.3 水晶発振回路の静的解析
    • 6.4 水晶振動子の最大励振レベル
    • 6.5 CMOS低電力水晶発振回路

第6章 LSIのレイアウト設計

  • 1. レイアウト設計の手順と集積度、性能の向上
  • 2. 寄生MOSトランジスタ
  • 3. 個別の課題とその対処
    • 3.1 静電破壊 (ESD)
    • 3.2 Latch-Up
    • 3.3 Metal配線
    • 3.4 BiCMOS
    • 3.5 精密抵抗比
    • 3.6 クロスオーバー

第7章 LSI設計と製品品質

  • 1. LSIの製品品質
    • 1.1 Electro-Migration
    • 1.2 Stress-Migration
    • 1.3 Alとシリコンのコンタクト
    • 1.4 Alのスライド
    • 1.5 Hot carrier
    • 1.6 TDDB
    • 1.7 ソフトエラー
    • 1.8 外乱光と外乱応力による誤動作
  • 2. レイアウト/回路設計と製品品質
    • 2.1 ノイズマージン
    • 2.2 タイミングマージン

第8章 LSIの設計評価と検証

  • 1. 設計評価
  • 2. テスト
  • 3. 評価とテストにおけるトラブル
  • 4. 異常機能の評価
  • 5. ソフトウェアの検証

第9章 LSI設計を取り巻く環境

  • 1. LSI設計技術の発展
  • 2. 集積密度の発展
  • 3. 情報化社会における技術と市場
    • 3.1 Game
    • 3.2 携帯電話
    • 3.3 ワイヤレス
    • 3.4 Display
    • 3.5 デジタルTV
    • 3.6 インタフェース

執筆者

ナショナルセミコンダクタージャパン株式会社
カスタムIC事業本部
本部長
井上 絋

出版社

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お問い合わせ

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(出版社への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

体裁・ページ数

B5判 180ページ

ISBNコード

ISBN978-4-88657-231-8

発行年月

2003年11月

販売元

tech-seminar.jp

価格

49,800円 (税別) / 54,780円 (税込)

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