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蒸着のセミナー・研修・出版物

ALD (原子層堆積法) の基礎とプロセス最適化および最新技術動向

2026年10月2日(金) 10時30分16時30分
東京都 開催 会場 開催

本セミナーは、 ALD , CVD の基礎から解説し、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。
また、ALD/ALE2025国際学会 (2025年6月開催) など、国際的な最新動向も解説いたします。

大気圧プラズマの基礎と低炭素技術への応用

2026年9月28日(月) 10時30分2026年10月9日(金) 16時30分
オンライン 開催

本セミナーではエネルギー・環境問題におけるプラズマ技術の役割から、プラズマの発生方法、反応システムの組み立て方、プラズマやガスの計測方法、エネルギー効率の求め方や注意点、異なるプラズマプロセスの比較方法などをわかりやすく解説いたします。

大気圧プラズマの基礎と低炭素技術への応用

2026年9月25日(金) 10時30分16時30分
オンライン 開催

本セミナーではエネルギー・環境問題におけるプラズマ技術の役割から、プラズマの発生方法、反応システムの組み立て方、プラズマやガスの計測方法、エネルギー効率の求め方や注意点、異なるプラズマプロセスの比較方法などをわかりやすく解説いたします。

クライオエッチングの基礎・現状・課題と最新技術動向

2026年9月16日(水) 13時00分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、シリコンウェハなどの基板をマイナス数十度からマイナス百数十度の極低温に冷却しながら行う次世代ドライエッチング技術「クライオプラズマエッチング」の実用化に向けた課題と可能性について詳解いたします。

プラズマプロセスにおける活性粒子の計測・モニタリング技術とプロセス最適化への応用

2026年9月15日(火) 13時00分2026年9月25日(金) 17時00分
オンライン 開催

本セミナーでは、プロセスプラズマの基礎から解説し、プロセスプラズマ内における活性粒子の生成・消滅 (反応) 過程、活性粒子や荷電粒子の各種計測法の原理・実践方法、活性粒子による反応メカニズムを考慮したプロセス条件の最適化について詳解いたします。

HBM・チップレット時代の3D積層技術と先進パッケージの最新動向

2026年9月9日(水) 13時00分17時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。

プラズマプロセスにおける活性粒子の計測・モニタリング技術とプロセス最適化への応用

2026年9月4日(金) 13時00分17時00分
オンライン 開催

本セミナーでは、プロセスプラズマの基礎から解説し、プロセスプラズマ内における活性粒子の生成・消滅 (反応) 過程、活性粒子や荷電粒子の各種計測法の原理・実践方法、活性粒子による反応メカニズムを考慮したプロセス条件の最適化について詳解いたします。

ドライプロセス微細化の限界を突破するクライオプラズマエッチング

2026年9月2日(水) 13時30分2026年9月9日(水) 16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、シリコンウェハなどの基板をマイナス数十度からマイナス百数十度の極低温に冷却しながら行う次世代ドライエッチング技術「クライオプラズマエッチング」の実用化に向けた課題と可能性について詳解いたします。

微細Cu配線・Low‐k/Air-Gap材料・Post-Cu材料に見る先端多層配線技術

2026年9月2日(水) 13時00分17時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。

先端半導体デバイスの多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化 (2日間セミナー)

2026年9月2日(水) 13時00分17時30分
2026年9月9日(水) 13時00分17時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、微細化の限界が迫る中、多層配線・Post-Cu材料・Low-k・TSV・チップレットなど、次世代デバイスを支える核心技術を2日間で整理。最新動向と実例を交えて詳細に解説します。

ドライプロセス微細化の限界を突破するクライオプラズマエッチング

2026年8月31日(月) 13時30分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、シリコンウェハなどの基板をマイナス数十度からマイナス百数十度の極低温に冷却しながら行う次世代ドライエッチング技術「クライオプラズマエッチング」の実用化に向けた課題と可能性について詳解いたします。

大気圧プラズマを用いた表面改質技術と応用に向けたポイント

2026年8月26日(水) 10時30分2026年9月3日(木) 16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、大気圧プラズマの基礎・原理から、大気圧プラズマの使用方法、運用方法、品質管理方法、プラスチック・ガラス・金属への大気圧プラズマ処理の適用事例について解説いたします。

薄膜作成と膜質改善技術の徹底解説

2026年8月24日(月) 10時00分2026年8月31日(月) 16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、スパッタや真空蒸着法で形成された金属・無機薄膜を中心に取り上げ、応力制御や密着性改善のために必要な基本知識から、具体的な測定法や剥離トラブルの対処法について解説いたします。

薄膜作成と膜質改善技術の徹底解説

2026年8月21日(金) 10時00分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、スパッタや真空蒸着法で形成された金属・無機薄膜を中心に取り上げ、応力制御や密着性改善のために必要な基本知識から、具体的な測定法や剥離トラブルの対処法について解説いたします。

大気圧プラズマを用いた表面改質技術と応用に向けたポイント

2026年8月17日(月) 10時30分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、大気圧プラズマの基礎・原理から、大気圧プラズマの使用方法、運用方法、品質管理方法、プラスチック・ガラス・金属への大気圧プラズマ処理の適用事例について解説いたします。

CVD装置・ALD装置における化学反応・プロセス・流れ解析と最適化

2026年8月17日(月) 10時30分2026年8月28日(金) 16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、反応工学と熱流体解析法の基礎から解説し、CVD装置で起きている化学反応、原子層堆積 (ALD) 法について解説いたします。
また、化学反応の様子を実験的に観察・測定する方法、気相化学種や得られた膜の様子から反応の推定する方法、プラズマCVDの反応を観察し整理した例、副生成物から見えることについて解説いたします。

プラズマCVD (化学気相堆積) 装置による高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応

2026年7月30日(木) 13時00分2026年9月29日(火) 16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心に紹介いたします。

半導体ドライプロセス入門

2026年7月30日(木) 10時00分17時00分
オンライン 開催

本セミナーでは、半導体機能素子の製造技術に使用されている「ドライプロセス・装置」および「真空・プラズマ技術」について基礎から解説いたします。
特に真空蒸着、スパッタリング、CVD、ALDによる成膜技術および薄膜を微細加工するドライエッチング技術を解説いたします。
合わせて、ドライプロセスの基盤となっている真空・プラズマ技術に関して解説いたします。

先端メモリ・ロジックデバイスのための2.5D/3Dデバイス集積化技術の基礎から最新動向

2026年7月29日(水) 13時00分17時00分
オンライン 開催

本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。

CVD装置・ALD装置における化学反応・プロセス・流れ解析と最適化

2026年7月27日(月) 10時30分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、反応工学と熱流体解析法の基礎から解説し、CVD装置で起きている化学反応、原子層堆積 (ALD) 法について解説いたします。
また、化学反応の様子を実験的に観察・測定する方法、気相化学種や得られた膜の様子から反応の推定する方法、プラズマCVDの反応を観察し整理した例、副生成物から見えることについて解説いたします。

真空蒸着による有機薄膜形成と蒸着重合法の基礎と応用

2026年7月27日(月) 10時30分2026年8月7日(金) 16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、真空蒸着法の基礎から分子配向制御方法、蒸着重合法や摩擦転写法を含む各種薄膜作製技術、蒸着重合法による均一な高分子膜のコーティング手法について詳細に解説いたします。
さらに、有機LEDや耐久性コーティング技術などの次世代応用事例を交え、電子・光機能性有機薄膜、封止膜や防食膜、耐熱・防汚コーティング技術の実例と将来性についても解説いたします。

真空蒸着による有機薄膜形成と蒸着重合法の基礎と応用

2026年7月24日(金) 10時30分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、真空蒸着法の基礎から分子配向制御方法、蒸着重合法や摩擦転写法を含む各種薄膜作製技術、蒸着重合法による均一な高分子膜のコーティング手法について詳細に解説いたします。
さらに、有機LEDや耐久性コーティング技術などの次世代応用事例を交え、電子・光機能性有機薄膜、封止膜や防食膜、耐熱・防汚コーティング技術の実例と将来性についても解説いたします。

薄膜作製の基礎

2026年7月24日(金) 10時30分2026年8月3日(月) 16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、実務に必要な真空工学、表面物性工学、プラズマ工学、薄膜工学の知識、各種薄膜形成技術の原理・特徴、所望の特性を得るための薄膜形成条件を決めるための基礎知識、薄膜形成に関するトラブルの診断に必要な基礎について、具体的事例を交えながら詳しく解説いたします。

スパッタリングの基本と考え方、膜の作り方、その応用

2026年7月17日(金) 10時30分2026年7月27日(月) 16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、スパッタの原理を確認し、さらに最新のカソード技術を紹介しながら、現場の品質向上についても解説いたします。

薄膜作製の基礎

2026年7月14日(火) 10時30分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、実務に必要な真空工学、表面物性工学、プラズマ工学、薄膜工学の知識、各種薄膜形成技術の原理・特徴、所望の特性を得るための薄膜形成条件を決めるための基礎知識、薄膜形成に関するトラブルの診断に必要な基礎について、具体的事例を交えながら詳しく解説いたします。

スパッタリングの基本と考え方、膜の作り方、その応用

2026年7月8日(水) 10時30分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、スパッタの原理を確認し、さらに最新のカソード技術を紹介しながら、現場の品質向上についても解説いたします。

CVD/ALDプロセスの反応メカニズムとプロセス最適化

2026年7月8日(水) 10時30分2026年7月18日(土) 16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、反応工学と熱流体解析法の基礎から解説し、CVD装置で起きている化学反応、原子層堆積 (ALD) 法について解説いたします。
また、化学反応の様子を実験的に観察・測定する方法、気相化学種や得られた膜の様子から反応の推定する方法、プラズマCVDの反応を観察し整理した例、副生成物から見えることについて解説いたします。

先端メモリ・ロジックデバイスのためのCu及びPost-Cu多層配線技術の基礎から最新動向

2026年7月7日(火) 13時00分17時00分
オンライン 開催

本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。

先端半導体デバイスにおける多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化技術 (2日間)

2026年7月7日(火) 13時00分17時00分
2026年7月29日(水) 13時00分17時00分
オンライン 開催

本セミナーでは、先端半導体デバイスにおける多層配線の材料・構造・プロセスの変遷、CuダマシンプロセスとPost-Cu配線材料候補及びプロセス、低誘電率 (Low-k) 絶縁膜などの最新技術を解説いたします。
また、新たな技術トレンドである「裏面電源供給」のための配線形成・貼合プロセスやDRAMやNANDの3Dメモリチップ積層とウエハレベル貼合、異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) 、FOWLP/PLP、ガラスサブストレート、高周波基板材料など、幅広い技術を基礎・開発動向の両面から議論いたします。

CVD/ALDプロセスの反応メカニズムとプロセス最適化

2026年6月29日(月) 10時30分16時30分
オンライン 開催

本セミナーでは、反応工学と熱流体解析法の基礎から解説し、CVD装置で起きている化学反応、原子層堆積 (ALD) 法について解説いたします。
また、化学反応の様子を実験的に観察・測定する方法、気相化学種や得られた膜の様子から反応の推定する方法、プラズマCVDの反応を観察し整理した例、副生成物から見えることについて解説いたします。

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