技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、バンドギャップが大きくなるほど評価困難になる欠陥準位評価法の1つである光容量分光法の特徴や測定方法について、従来の評価技術と比較しながら測定原理から応用例までわかりやすく解説いたします。
ワイドギャップ半導体は高耐電圧・低損失・高温動作といった優れた物性から、Siを超える省エネルギー型パワーデバイス材料として期待されている。特に窒化物半導体では、AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される二次元電子ガスを利用した高周波パワーデバイスが実用段階に達しているが、さらなる性能向上にはヘテロ構造中に残存する欠陥準位の理解が重要である。一方、酸化ガリウム (β-Ga2O3) はGaNやSiCを上回る物性値を持つ次世代パワー半導体として注目され、融液成長による基板の大口径化やデバイス化が進むものの、デバイス特性に直結する欠陥準位の知見は依然として乏しい。本セミナーでは、GaNやβ-Ga2O3などのGa系ワイドギャップ半導体における欠陥準位評価手法として光容量分光法 (SSPC) の原理を解説し、AlGaN/GaNヘテロ構造やβ-Ga2O3に存在する欠陥準位の評価事例を紹介する。
次世代パワー半導体の結晶成長・デバイス開発には様々な課題があるが、欠陥準位に関してはバンドギャップが大きくなるほど評価困難になり、光を用いた欠陥準位評価法が必要となる。その欠陥準位評価法の1つである光容量分光法の特徴や測定方法を習得できる。
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