技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、半導体ウェハの研磨について取り上げ、効率的な研磨に向けた研磨液、パッド、スラリーや、加工技術の動向について解説いたします。
(2025年1月15日 10:30〜12:00)
高出力・低損失な電力制御システムとしてSiCパワー半導体が鉄道や自動車など実装が進み始めており、今後のカーボンニュートラル社会には必要なエレクトロニクス技術として普及拡大が見込まれている。
本セミナーでは大口径SiCウェハの平坦化加工工程の高速化に焦点をあて、高品質かつ低コストなウェハを実現する製造技術の実現を目指した今後の開発アプローチについて解説・議論する。
(2025年1月15日 13:00〜14:00)
(2025年1月15日 14:15〜15:15)
SiCウエハは高性能な省電力パワーデバイス作製用基板としてますますその需要が高まっており、高能率かつ低コストでウエハを作製する加工技術が求められている。現状のSiCウエハ製造工程は結晶成長、スライシング、ラッピング、ポリシング等の多数の工程から構成されているが、その中でもポリシングは化学機械研磨 (Chemical Mechanical Polishing: CMP) により行われている。CMPは高価で環境負荷が大きなスラリーを用いており、また、研磨レートが小さいことが問題となっている。
本講座では、スラリーを用いずに陽極酸化による表面改質と固定砥粒定盤による改質膜の除去を複合し、平坦化と平滑化を一貫して行うことで高能率かつダメージフリーにSiCウエハを加工する新しいプロセスの原理と加工特性を紹介する。
(2025年1月15日 15:30〜16:30)
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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発行年月 | |
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