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SiCウェハの研磨技術と高速化、低ダメージ化

SiCウェハの研磨技術と高速化、低ダメージ化

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概要

本セミナーでは、半導体ウェハの研磨について取り上げ、効率的な研磨に向けた研磨液、パッド、スラリーや、加工技術の動向について解説いたします。

開催日

  • 2025年1月15日(水) 10時30分 ～ 16時30分

修得知識

  • 半導体用SiCウェハ加工技術
  • SiCウェハ加工技術の開発動向や技術課題
  • 砥粒内包研磨パッドによるSiC単結晶の研磨
  • 電気化学機械研磨によるスラリーを用いない新しいSiCウエハの高能率ダメージフリー研磨技術
  • 固定砥粒定盤を用いたSiCウエハの平坦化と平滑化を両立する研磨技術
  • 水酸化フラーレンを用いたSiCウェハの高効率研磨

プログラム

第1部 大口径SiCウェハ研磨の高速化技術

(2025年1月15日 10:30〜12:00)

　高出力・低損失な電力制御システムとしてSiCパワー半導体が鉄道や自動車など実装が進み始めており、今後のカーボンニュートラル社会には必要なエレクトロニクス技術として普及拡大が見込まれている。
　本セミナーでは大口径SiCウェハの平坦化加工工程の高速化に焦点をあて、高品質かつ低コストなウェハを実現する製造技術の実現を目指した今後の開発アプローチについて解説・議論する。

  1. SiCパワー半導体の社会実装とウェハ技術の動向
    1. SiCパワー半導体の特徴と効果
    2. SiCウェハ技術開発とその動向
    3. SiCウェハ技術の現状と課題
    4. 国内におけるSiCウェハ技術開発と目的
  2. SiCウェハの平坦化加工技術
    1. SiウェハとSiCウェハの加工技術の比較
    2. 大口径SiCウェハの高速加工における先行技術と応用
      1. 高速研削加工
      2. 高精度研削加工のデバイス技術応用
    3. 大口径SiCウェハの高速研磨加工と応用
      1. 鏡面研磨領域の大口径化対応と高速化
    4. 大口径SiCウェハのCMP
      1. 酸化剤によるCMPの能率改善と潜傷抑制
      2. CMPのデバイス技術応用
      3. 新しい高速酸化援用加工
  3. おわりに
    • 質疑応答

第2部 砥粒内包研磨パッドによるSiC単結晶の研磨

(2025年1月15日 13:00〜14:00)

  1. SiC単結晶の研磨 (CMP) に求められるもの
  2. SiC単結晶の高能率研磨
    1. SiC単結晶研磨の高能率化の試み
    2. 過マンガン酸カリウム援用によるSiC単結晶の研磨
  3. 砥粒内包研磨パッドのSiC単結晶の研磨への適用
    1. 砥粒内包研磨パッドとは?
    2. 砥粒内包研磨パッドによる過マンガン酸カリウム援用研磨
    3. SiC単結晶のさらなる高能率化
  4. 過マンガン酸カリウム援用研磨のメカニズムについて
  5. まとめ
    • 質疑応答

第3部 スラリーレス電気化学機械研磨によるSiC ウエハの高能率ダメージフリー加工

(2025年1月15日 14:15〜15:15)

　SiCウエハは高性能な省電力パワーデバイス作製用基板としてますますその需要が高まっており、高能率かつ低コストでウエハを作製する加工技術が求められている。現状のSiCウエハ製造工程は結晶成長、スライシング、ラッピング、ポリシング等の多数の工程から構成されているが、その中でもポリシングは化学機械研磨 (Chemical Mechanical Polishing: CMP) により行われている。CMPは高価で環境負荷が大きなスラリーを用いており、また、研磨レートが小さいことが問題となっている。
　本講座では、スラリーを用いずに陽極酸化による表面改質と固定砥粒定盤による改質膜の除去を複合し、平坦化と平滑化を一貫して行うことで高能率かつダメージフリーにSiCウエハを加工する新しいプロセスの原理と加工特性を紹介する。

  1. 電気化学機械研磨 (Electrochemical Mechanical Polishing: ECMP) の原理
    1. 研究開発の背景
    2. 陽極酸化によるSiC表面の改質
    3. SiCの陽極酸化特性と酸化膜の物性
    4. 固定砥粒定盤を用いたECMP装置
  2. ECMPによる4H – SiCウエハの加工特性
    1. 表面ダメージと酸化レートの相関
    2. 電流密度と酸化レートの相関
    3. 表面歪みと酸化レートの相関
    4. 3段階ECMPプロセスによる4インチスライスウエハの研磨特性
  3. まとめ
    • 質疑応答

第4部 水酸化フラーレンを用いたSiCウェハの高効率研磨

(2025年1月15日 15:30〜16:30)

  1. SiC加工の課題
  2. フラーレンの特徴と新規研磨材の開発
    1. フラーレン複合微粒子の作製
    2. フラーレン複合型スマート研磨微粒子の開発コンセプト
  3. 水酸化フラーレンによるSiC研磨の表面の平滑化
    • 質疑応答
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講師

  • 加藤 智久 氏
    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 つくば西事業所 エネルギー・環境領域 先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセスチーム
    研究チーム長
  • 佐藤 誠 氏
    ノリタケ株式会社 研究開発センター 1グループ 1チーム
  • 山村 和也 氏
    大阪大学
    栄誉教授
  • 鈴木 恵友 氏
    九州工業大学 大学院 情報工学研究院 知的システム工学研究系
    教授
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主催

株式会社 技術情報協会
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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 60,000円 (税別) / 66,000円 (税込)
複数名
: 55,000円 (税別) / 60,500円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 55,000円(税別) / 60,500円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 60,000円(税別) / 66,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 110,000円(税別) / 121,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 165,000円(税別) / 181,500円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミック割引

  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
  • 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
  • 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
  • 開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
    ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
    印刷物は後日お手元に届くことになります。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
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