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半導体ウェハの欠陥制御と検出、評価技術

半導体ウェハの欠陥制御と検出、評価技術

～結晶成長、ウェハ加工、材料評価の基礎、低コストなウェハを実現する製造技術～
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開催日

  • 2024年5月10日(金) 10時45分 ～ 16時00分

受講対象者

  • パワー半導体SiC材料開発に関心のある方
  • 結晶工学・ウェハ材料評価技術に関心のある方
  • 結晶開発、結晶評価、デバイス評価等に従事する方

修得知識

  • 半導体用SiCウェハ製造技術 (結晶成長、材料評価) の基礎知識
  • SiCウェハ製造技術の開発動向や技術課題に関する情報
  • 半導体結晶に関する基礎
  • SiCウェハの結晶欠陥とその評価手法
  • 結晶欠陥評価に関して目的に応じて適切な評価法を選択できる

プログラム

第1部 SiC結晶成長の現状と欠陥制御技術

(2024年5月10日 10:45〜12:15)

　パワー半導体用のSiC単結晶成長技術は、この20年ほどで高品質化、大口径化技術が進み、いよいよ8インチウェハも上市された始めている。今後は低コスト化とパワーデバイスの高信頼性を担保する材料技術が求められるが、本セミナーではこれらの技術開発の取り組みに関する背景とトレンドを説明するとともに、結晶欠陥の制御の将来技術について考察を深める機会としたい。

  1. はじめに
    1. SiCの基礎と物性
    2. SiCパワー半導体への応用
    3. SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求
  2. SiC単結晶製造技術
    1. SiC単結晶の合成・成長方法
    2. 結晶多形と特徴
    3. 結晶欠陥と制御
    4. 大口径結晶の成長と欠陥
    5. n/p型の伝導度制御と欠陥
    • 質疑応答

第2部 SiCウェハの欠陥評価技術

(2024年5月10日 13:15〜14:45)

　SiCパワーデバイスは、N700S系新幹線をはじめとする電鉄車両の電力変換や、電気自動車、などにすでに用いられており、社会実装が始まっている。しかし、無転位の結晶を前提とすることができるSiと比較すると、多くの結晶欠陥がSiCウェハには含まれており、SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっている。このため、SiCパワーデバイスにおいては、結晶欠陥の評価が重要となる。
　本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説を行い、SiCウェハの欠陥評価法の理解を深める。

  1. SiCパワーデバイスと結晶欠陥
  2. SiCの結晶構造と多形
  3. 結晶欠陥の基礎
  4. 転位論の基礎
  5. SiC結晶欠陥の種類
    • マイクロパイプ
    • 転位
  6. SiC結晶欠陥の種類
    • 積層欠陥
  7. 結晶欠陥とデバイス特性
    • マイクロパイプ
    • 貫通転位
  8. 結晶欠陥とデバイス特性
    • 基底面転位
  9. 結晶欠陥とデバイス特性
    • 積層欠陥
  10. 結晶欠陥評価法の概要
  11. 各種結晶欠陥評価法
    • X線トポグラフィ法
  12. 各種結晶欠陥評価法
    • エッチング
  13. 各種結晶欠陥評価法
    • フォトルミネッセンス法
  14. 各種結晶欠陥評価法
    • 偏光顕微鏡法
  15. 結晶欠陥のマルチモーダル解析
  16. 欠陥自動検出アルゴリズム
    • 質疑応答

第3部 ワイドバンドギャップ半導体結晶欠陥の非破壊3次元分布評価

(2024年5月10日 15:00〜16:00)

　ワイドバンドギャップ半導体はパワーデバイス用材料として注目を浴びています。しかし、結晶内部に欠陥が多く残存しているため、その検出や評価は必須となります。本講座では転位を主たる対象として、欠陥検出の考え方および各種欠陥評価技術の紹介をした上で結晶欠陥の非破壊3次元分布評価技術として多光子励起顕微鏡、X線トポグラフィー、電子線誘起電流法を取り上げそれぞれの測定原理とその観察事例をご紹介します。新しい3次元非破壊評価法についても触れる予定です。

  1. 欠陥評価法について
    1. 背景
    2. 欠陥検出方法の分類
    3. 破壊検出法
    4. 2次元非破壊検出法
  2. 多光子励起顕微鏡
    1. 歴史
    2. 測定原理
    3. SiC結晶中のマイクロパイプや積層欠陥の3次元非破壊評価事例
    4. GaN結晶中の転位の3次元非破壊評価事例
  3. X線トポグラフィー
    1. 測定原理
    2. AlN結晶中の転位の非破壊評価事例
    3. Ga2O3結晶中の転位の非破壊評価事例
  4. 電子線誘起電流法
    1. 測定原理
    2. SiCエピ膜中の転位の非破壊評価事例
  5. 新しい3次元非破壊評価法
    • 質疑応答
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講師

  • 加藤 智久 氏
    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 つくば西事業所 エネルギー・環境領域 先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセスチーム
    研究チーム長
  • 原田 俊太 氏
    名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター
    准教授
  • 石川 由加里 氏
    一般社団法人 ファインセラミックスセンター 機能性材料G
    特任主幹研究員
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主催

株式会社 技術情報協会
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お問い合わせ

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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 55,000円 (税別) / 60,500円 (税込)
複数名
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 50,000円(税別) / 55,000円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミック割引

  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
  • 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
  • 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
  • 開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
    ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
    印刷物は後日お手元に届くことになります。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
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