技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

半導体ドライエッチングの基礎と原子層プロセスの最新動向

半導体ドライエッチングの基礎と原子層プロセスの最新動向

~基礎となる物理化学原理から解説する~
オンライン 開催

概要

本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説いたします。

開催日

  • 2024年4月23日(火) 10時00分 16時30分

修得知識

  • プラズマプロセスの基礎知識
  • ドライエッチングの基礎知識
  • 原子層エッチング (ALE) の基礎知識と最新技術動向

プログラム

 本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説する。
 具体的には、ドライエッチングに用いられるプラズマ装置、装置内のプラズマの構造やダイナミクス、気相反応、および、反応性イオンエッチング (RIE) から、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) にわたるドライエッチング技術に関して、プラズマ物質相互作用の物理機構から最新技術動向まで、詳しく紹介する。関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積 (ALD) プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション (DX) の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。

  1. 背景
  2. プラズマ科学の基礎
  3. 代表的なプラズマプロセス装置
    1. 容量結合型プラズマ (CCP) 装置
    2. 誘導結合型プラズマ (ICP) 装置
  4. 反応性イオンエッチング (RIE) の基礎
    1. プラズマ表面相互作用
    2. 表面帯電効果
    3. シリコン系材料エッチング反応機構
    4. 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
    5. 高アスペクト比 (HAR) エッチング概要
  5. プラズマCVD概要:原子層堆積 (ALD) の基礎として
  6. ALDプロセスの概要:原子層エッチング (ALE) の逆過程として
    1. 熱ALD
    2. プラズマ支援 (PA-) ALD
  7. ALEプロセスの概要と最新技術動向
    1. PA – ALE
    2. 熱ALE:リガンド交換
    3. 熱ALE:金属錯体形成
  8. 半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション (DX)
  9. まとめ

講師

  • 浜口 智志
    大阪大学 大学院 工学研究科
    教授

主催

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 49,000円 (税別) / 53,900円 (税込)
1口
: 60,000円 (税別) / 66,000円 (税込) (3名まで受講可)

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
本セミナーは終了いたしました。

これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2024/5/27 SiCパワー半導体の最新動向とSiC単結晶ウェハ製造の技術動向 オンライン
2024/5/28 先進半導体パッケージングの市場・技術動向と開発トレンド オンライン
2024/5/28 半導体用レジストの基礎、材料設計、プロセス、評価方法 オンライン
2024/5/29 半導体パッケージ技術の基礎と課題解決およびFOWLP等の最新技術動向 オンライン
2024/5/29 ドライエッチングのメカニズムと最先端技術 オンライン
2024/5/30 半導体製造におけるシリコンウェーハのクリーン化技術・洗浄技術 オンライン
2024/5/30 半導体洗浄の基礎と洗浄機内の流れ・反応および洗浄法の評価方法 オンライン
2024/5/30 次世代半導体パッケージング・実装技術動向と市場展望 オンライン
2024/5/31 研磨プロセスの見える化と最適化およびアシスト加工 オンライン
2024/6/3 車載半導体の最新技術と今後の動向 オンライン
2024/6/4 プラズマCVD (化学気相堆積) 装置による高品質薄膜の成膜技術、および量産化対応 オンライン
2024/6/5 プラズマCVDによるナノ・微粒子材料の作製技術とプロセスモニタリング オンライン
2024/6/5 半導体封止材の最新技術動向と設計評価技術 オンライン
2024/6/7 半導体表面におけるウェットプロセスの基礎と最新動向 大阪府 会場
2024/6/10 SiCパワー半導体の最新動向とSiC単結晶ウェハ製造の技術動向 オンライン
2024/6/11 ALD (原子層堆積) / ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用 オンライン
2024/6/11 簡単な回路から始めるアナログ設計と実装の基礎 東京都 会場・オンライン
2024/6/11 半導体用レジストの基礎、材料設計、プロセス、評価方法 オンライン
2024/6/12 半導体用レジストの材料設計とその評価 オンライン
2024/6/13 半導体洗浄の基礎と洗浄機内の流れ・反応および洗浄法の評価方法 オンライン

関連する出版物

発行年月
2024/4/30 次世代半導体用の難加工結晶材料のための超精密加工技術
2024/2/26 EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2024/2/26 EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書
2023/9/29 先端半導体製造プロセスの最新動向と微細化技術
2023/4/28 次世代半導体パッケージの最新動向とその材料、プロセスの開発
2022/11/29 半導体製造プロセスを支える洗浄・クリーン化・汚染制御技術
2022/10/31 半導体製造におけるウェット/ドライエッチング技術
2022/6/17 2022年版 電子部品市場・技術の実態と将来展望
2022/6/13 パワー半導体〔2022年版〕
2022/6/13 パワー半導体〔2022年版〕 (CD-ROM版)
2021/11/12 レジスト材料の基礎とプロセス最適化
2021/6/18 2021年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2021/3/8 プラズマ技術
2021/3/8 プラズマ技術 (CD-ROM版)
2020/7/17 2020年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2019/7/19 2019年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2018/9/27 プラズマCVDにおける成膜条件の最適化に向けた反応機構の理解とプロセス制御・成膜事例
2018/3/20 レジスト材料・プロセスの使い方ノウハウとトラブル解決
2018/1/10 SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント
2014/10/31 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)