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半導体ドライエッチングの基礎と原子層プロセスの最新動向

半導体ドライエッチングの基礎と原子層プロセスの最新動向

～基礎となる物理化学原理から解説する～
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概要

本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説いたします。

開催日

  • 2024年4月23日(火) 10時00分 ～ 16時30分

修得知識

  • プラズマプロセスの基礎知識
  • ドライエッチングの基礎知識
  • 原子層エッチング (ALE) の基礎知識と最新技術動向

プログラム

　本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説する。
　具体的には、ドライエッチングに用いられるプラズマ装置、装置内のプラズマの構造やダイナミクス、気相反応、および、反応性イオンエッチング (RIE) から、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) にわたるドライエッチング技術に関して、プラズマ物質相互作用の物理機構から最新技術動向まで、詳しく紹介する。関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積 (ALD) プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション (DX) の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。

  1. 背景
  2. プラズマ科学の基礎
  3. 代表的なプラズマプロセス装置
    1. 容量結合型プラズマ (CCP) 装置
    2. 誘導結合型プラズマ (ICP) 装置
  4. 反応性イオンエッチング (RIE) の基礎
    1. プラズマ表面相互作用
    2. 表面帯電効果
    3. シリコン系材料エッチング反応機構
    4. 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
    5. 高アスペクト比 (HAR) エッチング概要
  5. プラズマCVD概要:原子層堆積 (ALD) の基礎として
  6. ALDプロセスの概要:原子層エッチング (ALE) の逆過程として
    1. 熱ALD
    2. プラズマ支援 (PA-) ALD
  7. ALEプロセスの概要と最新技術動向
    1. PA – ALE
    2. 熱ALE:リガンド交換
    3. 熱ALE:金属錯体形成
  8. 半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション (DX)
  9. まとめ
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講師

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主催

株式会社 トリケップス
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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 49,000円 (税別) / 53,900円 (税込)
1口
: 60,000円 (税別) / 66,000円 (税込) (3名まで受講可)

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
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