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シリコン/SiC/GaNパワーデバイスの現状・課題・展望

新材料パワーデバイスの最新開発技術習得のための

シリコン/SiC/GaNパワーデバイスの現状・課題・展望

～パワー半導体デバイス・パッケージ・実装技術など最新動向から市場予測まで～
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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2024年4月16日〜22日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2024年4月9日まで承ります。

概要

本セミナーでは、パワー半導体デバイス・パッケージの最新技術、シリコンMOSFET・シリコンIGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長・課題、パワー半導体デバイス全体・SiC/GaN市場予測、シリコンIGBT・SiCデバイス実装技術、SiC/GaNパワーデバイス特有の設計・プロセス技術について、豊富な経験を基に分かりやすく解説いたします。

開催日

  • 2024年4月9日(火) 10時00分 ～ 16時00分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など

修得知識

  • パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向
  • Si-IGBTの強み
  • SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
  • パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測
  • シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術
  • SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術

プログラム

　2024年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVはもはや大きな潮流となった。さらにEC (イーコマース) の普及等により最近データセンターが多くい建設されているが、その電力消費は急増しており大きな課題となりつつある。そのためデータセンター内のサーバ用電源の高効率化への取り組みも待ったなしの状況にある。
　上記、xEVの性能向上やサーバ用電源の効率を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、最新シリコンMOSFET/IGBTに加えSiC/GaNデバイスも普及が始まりつつあり、今後はSiC/GaNを中心にした新材料パワー半導体デバイスの伸長が大いに期待されている。SiC/GaNを中心とした新材料パワーデバイスが、その市場を大きく伸長するためのポイントは何か。最強の競争相手であるシリコンMOSFET/IGBTの現状や最新技術と比較しながら、SiC/GaNをはじめとした新材料パワーデバイスの最新開発技術と今後の動向について、実装技術や市場予測を含め詳しく解説する。

  1. パワーエレクトロニクス (パワーエレクトロニクス) とはなに
    1. パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
    2. パワー半導体の種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. 最近のトピックスから
    5. 新パワーデバイス開発の位置づけ
    6. シリコンMOSFET・IGBTの伸長
    7. パワーデバイス開発のポイント
  2. 最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
    1. パワーデバイス市場の現在と将来
    2. MOSFET特性改善を支える技術
    3. IGBT特性改善を支える技術
    4. IGBT薄ウェハ化の限界
    5. IGBT特性改善の次の一手
    6. 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
    7. シリコンIGBTの実装技術
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. 半導体デバイス材料の変遷
    2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
    3. なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
    4. 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
    5. SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
    6. SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
    7. SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
    8. 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
    9. SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
    10. 内蔵ダイオード信頼性向上技術
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
    2. GaNデバイスの構造
    3. SiCとGaNデバイスの狙う市場
    4. GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
    5. ノーマリーオフ・ノーマリーオン特性とはなに?
    6. GaN-HEMTのノーマリーオフ化
    7. GaN-HEMTの課題
    8. 縦型GaNデバイスの最新動向
  5. SiCパワーデバイス実装技術の進展
    1. SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
    2. 配線のインダクタンスを低減したパッケージ
    3. 接合材について
    4. 銀または銅焼結接合技術
    5. SiC-MOSFETモジュール技術
  6. まとめ
    • 質疑応答
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講師

  • 岩室 憲幸 氏
    筑波大学 数理物質系 物理工学域
    教授
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主催

株式会社TH企画 (TH企画セミナーセンター)
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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)
複数名
: 40,000円 (税別) / 44,000円 (税込)

複数名同時申込割引について

複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 40,000円(税別) / 44,000円(税込) で受講いただけます。

  • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
  • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
  • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 132,000円(税込)

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

  • 「Zoom」を使ったライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は、PDFファイルを配布予定です。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

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アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
  • 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
  • 視聴期間は2024年4月16日〜22日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
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