技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

SiCを中心とした半導体表面の構造・形態制御とメカニズム

SiCを中心とした半導体表面の構造・形態制御とメカニズム

~結晶構造とステップ・テラス構造といった表面形態、半導体表面の各種形態制御方法、原子レベルで平坦な表面を効率的に得る新技術など~
オンライン 開催

概要

本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。

開催日

  • 2023年12月11日(月) 13時00分 ~ 16時30分

修得知識

  • 半導体表面形態の制御技術
  • 半導体表面におけるステップバンチング、アンバンチングのメカニズム
  • 半導体製造プロセスのコスト・時間を削減する技術

プログラム

 半導体とそれを使ったデバイスにおいて、表面の構造や形態はデバイス特性に大きな影響を及ぼす。特に、パワーデバイスとしての利用が急速に拡大している炭化ケイ素 (SiC) でも、それらは極めて重要である。SiC表面は、シリコンと炭素からなる高さ0.25 nmの層が積層した構造を持ち、表面の段差はその0.25 nmが最小単位となる。このような段差をステップと呼び、ステップを含む表面形態の制御が重要である。
 本講演では、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介する。これらの現象や技術は、原子レベルで平坦な表面を効率的に得る技術として大いに注目されている。

  1. 半導体の結晶構造と表面形態
    1. 半導体の結晶構造とバンドギャップ
    2. SiCの結晶構造 3C,4H,6H-SiC
    3. SiCパワーデバイス
    4. 半導体表面のステップ・テラス構造
    5. SiCの結晶学的方位とステップ・テラス
    6. 結晶成長と表面形態
  2. 半導体表面形態制御方法
    1. 機械研磨
    2. 化学機械研磨 (CMP)
    3. 酸化膜形成とフッ化水素酸によるその除去
    4. 水素エッチング
    5. ステップバンチング現象
    6. SiCにおける2種類のステップバンチングとそのメカニズム
      1. エネルギー論的効果
      2. 速度論的効果
      3. 弾性論的効果
  3. SiC表面へのグラフェン成長とステップバンチング
    1. SiC熱分解法によりグラフェン成長
    2. SiCの結晶学的方位によるグラフェン成長の関係
    3. SiC表面形態とグラフェン電子物性の関係
    4. ステップバンチングに及ぼすグラフェンの影響
  4. SiC表面のステップアンバンチング現象
    1. 加熱雰囲気によるSiC表面の変化
    2. SiC表面のステップバンチング
    3. SiC表面のステップアンバンチング
    4. アンバンチングメカニズムの考察
    5. ステップアンバンチング現象の応用可能性
      1. SiC半導体製造プロセスへの適用
      2. 他の半導体でのアンバンチング現象
    • 質疑応答

講師

  • 乗松 航 氏
    早稲田大学 基幹理工学部 電子物理システム学科
    教授

主催

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 30,900円 (税別) / 33,990円 (税込)
複数名
: 22,500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 30,900円(税別) / 33,990円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
  • サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

  • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
  • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
  • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
本セミナーは終了いたしました。

これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2026/10/26 半導体洗浄の基礎・現象と洗浄機内の流れと反応、洗浄の評価方法および困った時の対策 オンライン
2026/10/26 光電融合技術の最新動向と実装プロセス、樹脂材料への要求特性 オンライン
2026/10/26 ECTC2026から読み解く先端パッケージングの市場・技術の最新動向と今後の展望 東京都 会場・オンライン
2026/10/26 半導体製造における各種汚染の影響と洗浄技術の基礎および技術トレンド オンライン
2026/10/27 初心者のための半導体製造入門 オンライン
2026/10/27 半導体製造における各種汚染の影響と洗浄技術の基礎および技術トレンド オンライン
2026/10/28 SiCパワー半導体の信頼性向上と不純物分析 オンライン
2026/10/28 初心者のための半導体製造入門 オンライン
2026/10/28 大型パッケージ・基板進化時代の液状封止・アンダーフィル オンライン
2026/10/28 物理学で理解するEUVリソグラフィの基礎・応用・課題と将来展望 オンライン
2026/10/29 三次元集積化プロセスの基礎と先進半導体パッケージの最新動向 オンライン
2026/10/29 半導体製造プロセスと機械学習・深層学習 (AI) の活用 オンライン
2026/10/30 CMPスラリーの要求特性、評価技術と添加剤の開発 オンライン
2026/11/4 Si・SiC・GaN・次世代パワーデバイス技術・適用領域の現状・課題と展望 オンライン
2026/11/5 先端半導体デバイスの多層配線技術と2.5D/3Dデバイス集積化 (2日間セミナー) オンライン
2026/11/5 データセンター向け半導体封止材の設計と評価 オンライン
2026/11/5 微細Cu配線・Low‐k/Air-Gap材料・Post-Cu材料に見る先端多層配線技術 オンライン
2026/11/5 半導体産業の現状と今後の展望 オンライン
2026/11/9 SiCパワー半導体の信頼性向上と不純物分析 オンライン
2026/11/10 TSV・TGV形成に向けためっき技術と高密着・高信頼化 オンライン

関連する出版物