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研磨・CMPプロセスの高効率化と評価技術

研磨・CMPプロセスの高効率化と評価技術

～高品質、高効率なプロセスを設計するには / 大口径化への対応技術を詳解～
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概要

本セミナーでは、SiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論いたします。

開催日

  • 2023年10月10日(火) 10時30分 ～ 16時15分

受講対象者

  • SiCウエハメーカー、パワーデバイスメーカーの技術者、開発者
  • CMP加工前後における表面形状・粗さ・異物解析を目的とされる方

修得知識

  • 半導体用SiCウェハ加工技術の基礎知識
  • SiCウェハ加工技術の開発動向や技術課題
  • SiCウェハ産業の今後の動向に関する情報
  • 電気化学機械研磨によるスラリーを用いない新しいSiCウエハの高能率ダメージフリー研磨技術
  • 固定砥粒定盤を用いたSiCウエハの平坦化と平滑化を両立する研磨技術
  • 原子間力顕微鏡 (AFM) の測定原理と表面解析応用例
  • 3次元白色干渉計の測定原理と表面解析応用例
  • AFMを用いたナノスケール分光分析の基礎と測定例 (欠陥、異物)

プログラム

第1部 SiCパワー半導体の開発動向とウェハの研磨、CMP工程の技術動向

(2023年10月10日 10:30〜12:00)

　高出力で低損失な電力制御システムにSiCパワー半導体が普及始めており、今後のカーボンニュートラル社会には必要な技術分野として産業化加速が見込まれる。本セミナーではSiCウェハ加工工程の技術開発動向について解説し、高品質かつ低コストなウェハを実現する製造技術について議論する。

  1. SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発
  2. SiCウェハ加工技術
    1. SiCウェハ加工工程と技術課題
    2. SiC単結晶の切断技術
    3. 切断工程の高速化技術
    4. 切断工程の課題と新しい切断技術
    5. SiCウェハの研削加工
    6. 研削加工の高速・鏡面化技術
    7. 研削工程の課題と新しい研削加工技術
    8. SiCウェハの研磨加工
    9. 研磨加工と研削加工の特徴や違い
    10. 研磨工程の課題と新しい研削加工技術
    11. SiCウェハのCMP加工
    12. CMPの高速化技術
    13. CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
    14. 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
    15. 加工変質層の評価技術
    16. 加工変質層の抑制技術
    17. SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
    18. 大口径化対応へ向けた解決策の検討
    • 質疑応答

第2部 固定砥粒定盤を用いた電気化学機械研磨によるSiCのスラリーレス高能率ダメージフリー研磨

(2023年10月10日 13:00〜14:30)

　SiCウエハは高性能な省電力パワーデバイス作製用基板としてますますその需要が高まっており、高能率かつ低コストでウエハを作製する加工技術が求められている。現状のSiCウエハ製造工程は結晶成長、スライシング、ラッピング、ポリシング等の多数の工程から構成されているが、その中でもポリシングは化学機械研磨 (Chemical Mechanical Polishing: CMP) により行われている。CMPは高価で環境負荷が大きなスラリーを用いており、また、研磨レートが小さいことが問題となっている。
　本講座では、スラリーを用いずに陽極酸化による表面改質と固定砥粒定盤による改質膜の除去を複合し、平坦化と平滑化を一貫して行うことで高能率かつダメージフリーにSiCウエハを加工する新しいプロセスの原理と加工特性を紹介する。

  1. 電気化学機械研磨 (Electrochemical Mechanical Polishing: ECMP) の原理
    1. 研究開発の背景
    2. 陽極酸化によるSiC表面の改質
    3. SiCの陽極酸化特性と酸化膜の物性
    4. 固定砥粒定盤を用いたECMP装置
  2. ECMPによる4H-SiCウエハの加工特性
    1. 表面ダメージと酸化レートの相関
    2. 電流密度と酸化レートの相関
    3. 表面歪みと酸化レートの相関
    4. 3段階ECMPプロセスによる4インチスライスウエハの研磨特性
  3. まとめ
    • 質疑応答

第3部 CMPの測定、表面解析技術

(2023年10月10日 14:45〜16:15)

　研磨後の平滑平面に対するナノスケール表面解析方法を紹介します。 試料表面状態を解析するための各種測定機器の基礎を解説し、目的に合わせた装置の選び方および適切な測定手法について理解を深める。

  1. 原子間力顕微鏡
    1. 原子間力顕微鏡の基礎と測定モード
    2. 測定精度とイメージ品質
    3. プローブ (探針) の選択方法
    4. イメージの質と探針の関係性
    5. 測定例の紹介
    6. 次元白色光干渉型顕微鏡
    7. 3次元白色光干渉型顕微鏡の基礎
    8. CMPサンプルへの応用例
  2. AFM-IR (ナノスケール赤外分光技術)
    1. AFM-IRの基礎と測定原理
    2. AFM-IRの適用分野
    3. 半導体デバイスの測定事例
    • 質疑応答
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講師

  • 加藤 智久 氏
    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 つくば西事業所 エネルギー・環境領域 先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセスチーム
    研究チーム長
  • 山村 和也 氏
    大阪大学
    栄誉教授
  • 鈴木 操 氏
    ブルカージャパン株式会社 ナノ表面計測事業部 アプリケーション部
    アプリケーションマネジャー
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主催

株式会社 技術情報協会
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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 55,000円 (税別) / 60,500円 (税込)
複数名
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 50,000円(税別) / 55,000円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミック割引

  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
  • 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
  • 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
  • 開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
    ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
    印刷物は後日お手元に届くことになります。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
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