技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、次世代パワーデバイスについて取り上げ、現在のパワーデバイスとの比較した際のメリット、開発状況、市場に普及するためのポイント、今後の開発動向について詳解いたします。
(2023年9月12日 10:30〜12:00)
GaNパワーデバイスはSiCと並び次世代のパワーデバイスとして期待されています。横型GaNパワーデバイスはすでに実用化の時代に入り、応用範囲が拡大されつつあります。同時に、使い易さを目的にデバイスのパッケージングでの改良も進んでいます。一方、縦型パワーデバイスはまだ実用化には至っていません。しかし、SiC – MOSFETより低いオン抵抗が期待できるため、新たなシステムの可能性が開けることから、開発が進められています。
本講座では、横型と縦型のGaNパワーデバイスの現状と開発の課題、将来について展望します。。
(2023年9月12日 13:00〜14:30)
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイスおよび極限環境デバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。
また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。 こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。
本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。
(2023年9月12日 14:40〜16:10)
ダイヤモンド半導体は、パワー半導体として30年以上期待されてきましたが、最近、ようやく、MOSFET技術、大口径ダイヤモンドウェハ技術が開発され、現実的になってきました。
講演では、分野外の方にもわかるように、できるだけ平易なところから、最近の進展や動向までわかりやすく解説いたします。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
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