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EVシフト・カーボンニュートラルに向けたSi・SiC・GaNパワーデバイス技術ロードマップと業界展望

EVシフト・カーボンニュートラルに向けたSi・SiC・GaNパワーデバイス技術ロードマップと業界展望

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概要

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス, GaNパワーデバイス, 酸化ガリウムパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

開催日

  • 2023年1月18日(水) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など

修得知識

  • 過去30年のパワーデバイス開発の流れ
  • パワーデバイスの最新技術動向
  • SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
  • SiC/GaN市場予測
  • SiCデバイス実装技術
  • SiCデバイス特有の設計、プロセス技術

プログラム

　2020年からのコロナウィルスの全世界的な蔓延により、世界各国は人的・経済的に甚大なダメージを受け、2022年11月現在、ようやく回復の見通しがみえつつある状況にある。このような中において、地球温暖化ならびに大気汚染対策のための自動車の電動化 (xEV) をはじめとした脱炭素社会実現は人類にとって「待った無」の課題であることに変わりはない。EVをはじめとしたパワエレ製品の性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
　本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を横にらみしながら、わかりやすく解説したい。

  1. パワーエレクトロニクスとは?
    1. パワエレ&パワーデバイスの仕事
    2. パワーデバイスの種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. 高周波動作のメリットは
    5. シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
    6. 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
  2. 最新シリコンIGBTの進展
    1. 2030年のパワー半導体の市場予測
    2. シリコンIGBTの今
    3. 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
    4. 新構造IGBT:逆導通IGBT (RC-IGBT) の開発
    5. IGBTの進展を支える実装技術の進展
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. 半導体デバイス材料の変遷
    2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
    3. SiCのシリコンに対する利点
    4. 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
    5. SiCウェハができるまで
    6. SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
    7. SiC-MOSFET拡販のための4つの課題
    8. なぜSiC-MOSFETがEVに適しているのか?
    9. SiC-MOSFET作成プロセス
    10. SiCデバイス信頼性のポイント
    11. 最新SiC-MOSFET開発動向
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
    2. GaNデバイス構造は“横型GaN on Si”が主流。なぜ縦型GaN on GaNではないのか?
    3. GaN-HEMTデバイスの特徴と課題
    4. GaN-HEMTのノーマリーオフ化
    5. Current Collapse現象メカニズム
    6. 最新GaN-HEMT開発動向
    7. 縦型GaNデバイスの最新動向
  5. 酸化ガリウム・ダイヤモンドパワーデバイスの現状
    1. 酸化ガリウムとその特徴
    2. 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況
    3. ダイヤモンドパワーデバイス開発状況
  6. 高温対応実装技術
    1. 高温動作ができると何がいいのか
    2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ。ポイントは何か?
    3. ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
  7. まとめ
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講師

  • 岩室 憲幸 氏
    筑波大学 数理物質系 電子・物理工学専攻
    教授
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主催

S&T出版 株式会社
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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 46,364円 (税別) / 51,000円 (税込)
複数名
: 18,182円 (税別) / 20,000円 (税込)

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  • Eメール案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 46,363円(税別) / 51,000円(税込)
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    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 139,089円(税別) / 153,000円(税込)
    • 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 185,452円(税別) / 204,000円(税込)
    • 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 231,815円(税別) / 255,000円(税込)

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
  • 開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
    ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
    印刷物は後日お手元に届くことになります。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
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