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SiCパワー半導体・ウェハ開発の現状と高品質化・低コスト化への課題

SiCパワー半導体・ウェハ開発の現状と高品質化・低コスト化への課題

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概要

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

開催日

  • 2022年8月10日(水) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など

修得知識

  • SiCパワー半導体開発の現状と動向
  • SiC単結晶のバルク結晶成長
  • SiC単結晶ウェハの加工技術
  • SiCエピタキシャル薄膜成長技術
  • SiC単結晶中の拡張欠陥
  • SiC単結晶のウェハ加工
  • SiC単結晶ウェハの電気特性制御
  • SiC単結晶ウェハの高品質化

プログラム

　現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード (SBD) 、金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
　本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。

  1. SiCパワー半導体開発の背景
    1. 環境・エネルギー技術としての位置付け
    2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト
  2. SiCパワー半導体開発の歴史
    1. SiCパワー半導体開発の黎明期
    2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー
  3. SiCパワー半導体開発の現状と動向
    1. SiCパワー半導体の市場
    2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
    3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース
  4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
    1. SiC単結晶とは?
    2. SiC単結晶の物性と特長
    3. SiC単結晶の各種デバイス応用
  5. SiCパワーデバイスの最近の進展
    1. SiCパワーデバイスの特長
    2. SiCパワーデバイス (SBD、MOSFET) の現状
    3. SiCパワーデバイスのシステム応用
  6. SiC単結晶のバルク結晶成長
    1. SiC単結晶成長の熱力学
    2. 昇華再結晶法
    3. 溶液成長法
    4. 高温CVD法 (ガス法)
    5. その他成長法
  7. SiC単結晶ウェハの加工技術
    1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス
    2. SiC単結晶の切断技術
    3. SiC単結晶ウェハの研磨技術
  8. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
    1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
    2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向
  9. SiC単結晶のポリタイプ制御
    1. SiC単結晶のポリタイプ現象
    2. 各種ポリタイプの特性
    3. SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御
  10. SiC単結晶中の拡張欠陥
    1. 各種拡張欠陥の分類
    2. 拡張欠陥の評価法
  11. SiC単結晶のウェハ加工
    1. ウェハ加工の技術課題
    2. ウェハ加工技術の現状
  12. SiCエピタキシャル薄膜成長
    1. エピタキシャル薄膜成長の技術課題
    2. エピタキシャル薄膜成長技術の現状
  13. SiC単結晶ウェハの電気特性制御
    1. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
    2. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状
  14. SiC単結晶ウェハの高品質化
    1. マイクロパイプ欠陥の低減
    2. 貫通転位の低減
    3. 基底面転位の低減
  15. まとめ
  16. Q&A
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主催

株式会社 R&D支援センター
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    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
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  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
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    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
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