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半導体 (ドライ/ウェット) エッチングの基礎とプロセス制御・最新技術

半導体 (ドライ/ウェット) エッチングの基礎とプロセス制御・最新技術

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概要

本セミナーでは、ドライエッチングおよびウェットエッチングについて、エッチング反応の原理から装置、微細加工技術のトレンド、シリコン系材料やIII-V族化合物半導体のエッチング技術、そして最先端の原子層エッチング技術までを、メーカで化合物半導体光デバイスの製造プロセスやシリコンLSI向けエッチング装置の開発に携わってきた講師が、実経験を交えながら分かりやすく解説いたします。

開催日

  • 2022年2月25日(金) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • プラズマエッチングに関連する技術者、製造技術担当者、品質担当者
    • MEMS
    • 半導体
    • 微細回路 など
  • 半導体デバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカーの研究開発・生産製造に携わる方
  • これからプロセスプラズマを扱う方
  • プロセスガスの開発に携わっている方

修得知識

  • 半導体デバイス・製造プロセスの技術トレンド
  • ドライエッチング、ウェットエッチング、原子層エッチングの基礎知識
  • 各種材料のエッチング反応・エッチングプロセス制御の考え方

プログラム

　半導体集積回路の開発や製造において、エッチングは必要不可欠な技術である。モノのインターネット (IoT) の普及により、データ処理を担う半導体集積回路の高密度集積化が益々進んでいる。加工寸法の微細化は原子層レベルに到達し、また、三次元構造化と積層化による集積度向上が加速している。このような、微細な三次元構造をもつ今後の半導体デバイスでは、原子層レベルの制御性でエッチングする技術が求められる。また,微細化限界後のポストスケーリング時代に向けて、新トランジスタ構造や新チャネル材料が検討されており、III – V族化合物半導体など様々な新材料の微細加工技術が鍵を握る。
　本講座では、ドライエッチングおよびウェットエッチングについて、エッチング反応の原理から装置、微細加工技術のトレンド、シリコン系材料やIII – V族化合物半導体のエッチング技術,そして最先端の原子層エッチング技術までを、メーカで化合物半導体光デバイスの製造プロセスやシリコンLSI向けエッチング装置の開発に携わってきた講師が、実経験を交えながら分かり易く解説する。

  1. 半導体デバイスのトレンド/構造/製造プロセス
    1. 半導体デバイスのトレンド
      1. ロジックデバイス
      2. メモリーデバイス
      3. 光デバイス
    2. 半導体デバイスの構造
      1. ロジックデバイス
      2. メモリーデバイス
      3. 光デバイス
    3. 半導体デバイスの製造プロセス
      1. 半導体レーザ
      2. CMOSトランジスタ
  2. デバイス製造プロセスにおけるエッチング
    1. エッチングプロセスの種類
    2. エッチングにおけるプロセス制御
      1. 高アスペクト比エッチング
      2. 難エッチング材のエッチング
      3. 高選択比エッチング
    3. エッチングプロセスの課題
      1. 3D – NANDエッチングの課題
      2. ナノワイヤFETエッチングの課題
      3. 光デバイスエッチングの課題
  3. ドライエッチングの基礎及びプロセス技術
    1. ドライエッチング装置の種類及び特徴
    2. ドライエッチングの原理
    3. ドライエッチングにおけるプロセス制御
      1. エッチング反応
      2. エッチング速度
      3. エッチング選択比
      4. エッチング形状
    4. ドライエッチング損傷
      1. 損傷のメカニズム
      2. 損傷の評価法
      3. 損傷の低減策
      4. ドライエッチングとウェットエッチングの損傷比較
    5. 各種材料のドライエッチング及びプロセス制御
      1. Si
      2. SiO2
      3. Si3N4
      4. GaAs
      5. InP
      6. GaN
  4. ウェットエッチングの基礎及びプロセス技術
    1. ウェットエッチングの原理
      1. エッチング液の構成と化学反応
      2. 酸化剤および標準酸化還元電位
      3. エッチング液に用いられる各種試薬
    2. ウェットエッチングの律速過程
      1. 反応律速と拡散律速
      2. 半導体結晶構造と面方位依存性
    3. ウェットエッチングにおけるプロセス制御
      1. エッチング反応
      2. エッチング速度
      3. エッチング選択比
      4. エッチング形状
    4. 各種半導体のウェットエッチング及びプロセス制御
      1. Si
      2. SiO2
      3. Si3N4
      4. GaAs
      5. InP
      6. GaN
  5. 原子層エッチングの基礎と最新技術
    1. 原子層プロセス技術のトレンド
    2. 原子層エッチングの基礎
    3. 等方性原子層エッチングの各種手法
      1. 有機金属錯体反応
      2. プラズマアシスト熱サイクル
    4. 異方性原子層エッチングの各種手法
      1. ハロゲンとイオン照射
      2. フルオロカーボンアシスト
  6. 実プロセスにおけるトラブル事例と対策
    1. 半導体レーザのエッチング工程における凹凸発生
  7. 今後の課題
    • 質疑応答
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主催

株式会社 R&D支援センター
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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 40,000円(税別) / 44,000円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。

  • R&D支援センターからの案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
  • R&D支援センターからの案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
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