技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス, GaNパワーデバイス, 酸化ガリウムパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。
(10:30~12:00)
今、世界各国が電気自動車 (EV) の開発に向けて大きく動き出している。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化している。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかし現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えず、シリコンIGBTが以前主役として活躍している。本講演では、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiCパワーデバイスの最新技術についてわかりやすく解説する。
(13:00~14:30)
GaNは、次世代パワーデバイスとして高い性能を有する材料として認識され、デバイス開発が進んでいる。GaNパワーデバイスは横型、縦型構造のデバイスが開発されており、横型GaNデバイスの高速性能は、パワーモジュールのサイズと重量を削減し、縦型GaNデバイスの低オン抵抗性能はインバータの冷却負荷の低減に効果的である。横型デバイスは現在システム応用が進展しつつある。縦型デバイスは要素技術開発の段階であるが、いくつかのブレークスルーが実現され、高性能を実証できる環境が整いつつある。本講演では最新の開発状況を概観し、将来の見通しを述べる。
(14:40~16:10)
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ、魅力、物性面での課題について述べた後、最新のエピタキシャル成長およびデバイスプロセス研究開発状況、実用化に向けた展望などについて解説する。
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また、4名以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、3名様受講料 + 3名様を超える人数 × 20,000円(税込)でご受講いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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2024/6/28 | 徹底解説 パワーデバイス | オンライン | |
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2024/7/1 | SiCパワー半導体開発とSiC単結晶ウェハ製造プロセスの最新動向 | オンライン | |
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2024/7/22 | 半導体ドライエッチングの基礎と最新技術 | オンライン | |
2024/7/23 | 半導体デバイスの物理的洗浄手法 | オンライン | |
2024/7/25 | 半導体業界の最新動向 | オンライン |
発行年月 | |
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2010/5/14 | SiCパワーデバイス最新技術 |
2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 |
2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版) |
2002/6/12 | RF CMOS回路設計技術 |
1999/10/29 | DRAM混載システムLSI技術 |
1999/2/26 | ソフトスイッチング電源技術 |
1993/3/1 | 電源系統における高調波歪規制と対策/測定技術 |
1992/11/11 | VLSI試験/故障解析技術 |
1991/6/1 | 高周波スイッチングコンバータ高性能化技術 |
1990/6/1 | LSI周辺金属材料・技術 |
1988/10/1 | 高密度表面実装 (SMT) におけるLSIパッケージング技術 |
1988/2/1 | 半導体の故障モードと加速試験 |
1985/12/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ) |
1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |