技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開

酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開

東京都 開催 会場 開催
関連するセミナー・出版物
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する 関連するセミナー・出版物を探す

概要

本セミナーでは、SiC、GaNと比較して高耐圧・低消費電力、低コスト化が期待される酸化ガリウムパワーデバイスについて、その材料とデバイスの基礎から最先端の開発状況を解説いたします。

開催日

  • 2018年2月26日(月) 12時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • 酸化ガリウム半導体の研究開発・企画戦略・生産製造に携わる技術者、開発者
    • 電機メーカー
    • 自動車メーカー
    • 半導体材料・装置メーカーなど

修得知識

  • Ga2O3物性の基礎知識
  • 各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題
    • バルク・基板
    • エピタキシャル薄膜成長
    • デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) など

プログラム

　酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。
　本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。

  1. はじめに
    1. Ga2O3の材料的特徴 (SiC, GaNとの比較から)
    2. 将来的なGa2O3デバイスの用途
  2. Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
    1. 単結晶バルク融液成長
    2. 単結晶Ga2O3ウェハー
  3. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
    1. オゾンMBE成長
    2. プラズマMBE成長
    3. HVPE成長
  4. Ga2O3トランジスタ開発
    1. 横型MESFET
    2. 横型DモードMOSFET
    3. 横型フィールドプレートMOSFET
    4. 横型EモードMOSFET
    5. 縦型DモードMOSFET (CAVET)
    6. 海外のGa2O3トランジスタ開発動向
  5. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
    1. HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
    2. 縦型フィールドプレートSBD
  6. まとめ、今後の課題
    • 質疑応答
ページのトップヘ

会場

新宿区立 新宿文化センター

4F 第1会議室

東京都 新宿区新宿 6-14-1
新宿区立 新宿文化センターの地図
ページのトップヘ

主催

株式会社 R&D支援センター
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 23,139円(税別) / 24,990円(税込) で受講いただけます。

  • R&D支援センターからの案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 43,750円(税別) / 47,250円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 46,278円(税別) / 49,980円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 69,417円(税別) / 74,970円(税込)
  • R&D支援センターからの案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 46,278円(税別) / 49,980円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 92,556円(税別) / 99,960円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 138,833円(税別) / 149,940円(税込)
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する
ページのトップヘ

これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2026/9/24 半導体パッケージの基礎知識、最新技術動向と課題 オンライン
2026/9/24 電子部品・材料の故障解析技術 オンライン
2026/9/25 半導体量子ビットの基礎と研究動向および技術課題と展望 オンライン
2026/9/28 半導体製造装置用セラミックス部材の開発動向とプラズマ耐性向上 オンライン
2026/9/29 半導体市場の動向と半導体産業の今後の見通し オンライン
2026/9/29 半導体パッケージの最新動向と半導体封止材の設計・評価技術 オンライン
2026/9/30 フォトレジストの材料設計と先端半導体プロセス技術 オンライン
2026/9/30 DFT技術の最新動向と2.5D/3D-IC対応の実践ポイント オンライン
2026/9/30 半導体ウェット洗浄の基礎・実践と最新洗浄技術 オンライン
2026/10/1 DFT技術の最新動向と2.5D/3D-IC対応の実践ポイント オンライン
2026/10/2 2nm以降半導体向け配線技術の最新動向と材料、プロセスへの要求特性 オンライン
2026/10/2 半導体 (IC) の製造工程と半導体用素部材の基本情報 オンライン
2026/10/8 三次元集積化プロセスの基礎と先進半導体パッケージの最新動向 オンライン
2026/10/8 パワー半導体実装部の熱疲労信頼性設計へ向けた機械負荷試験評価法 オンライン
2026/10/9 半導体製造装置の基礎・トレンドと今後の展望 (2026年秋版) オンライン
2026/10/9 光電融合・Co-Packaged Optics (CPO) 技術の基礎と最新研究動向および技術課題 オンライン
2026/10/13 光電融合・Co-Packaged Optics (CPO) 技術の基礎と最新研究動向および技術課題 オンライン
2026/10/15 光半導体のパッケージング技術、基本情報と課題 オンライン
2026/10/15 光電融合技術の最新動向と実装プロセス、樹脂材料への要求特性 オンライン
2026/10/16 光半導体のパッケージング技術、基本情報と課題 オンライン
ページのトップヘ