技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開
酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、SiC、GaNと比較して高耐圧・低消費電力、低コスト化が期待される酸化ガリウムパワーデバイスについて、その材料とデバイスの基礎から最先端の開発状況を解説いたします。
開催日
- 2018年2月26日(月) 12時30分 ～ 16時30分
受講対象者
- 酸化ガリウム半導体の研究開発・企画戦略・生産製造に携わる技術者、開発者
- 電機メーカー
- 自動車メーカー
- 半導体材料・装置メーカーなど
修得知識
- Ga2O3物性の基礎知識
- 各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題
- バルク・基板
- エピタキシャル薄膜成長
- デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) など
プログラム
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。
本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。
- はじめに
- Ga2O3の材料的特徴 (SiC, GaNとの比較から)
- 将来的なGa2O3デバイスの用途
- Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
- 単結晶バルク融液成長
- 単結晶Ga2O3ウェハー
- Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
- オゾンMBE成長
- プラズマMBE成長
- HVPE成長
- Ga2O3トランジスタ開発
- 横型MESFET
- 横型DモードMOSFET
- 横型フィールドプレートMOSFET
- 横型EモードMOSFET
- 縦型DモードMOSFET (CAVET)
- 海外のGa2O3トランジスタ開発動向
- Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
- HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
- 縦型フィールドプレートSBD
- まとめ、今後の課題
- 質疑応答
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)
案内割引・複数名同時申込割引について
R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 23,139円(税別) / 24,990円(税込) で受講いただけます。
- R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 43,750円(税別) / 47,250円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 46,278円(税別) / 49,980円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 69,417円(税別) / 74,970円(税込)
- R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 46,278円(税別) / 49,980円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 92,556円(税別) / 99,960円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 138,833円(税別) / 149,940円(税込)
本セミナーは終了いたしました。
これから開催される関連セミナー
| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
|---|---|---|---|
| 2025/3/5 | 半導体用レジストの基礎と材料設計および環境配慮型の新規レジスト除去技術 | オンライン | |
| 2025/3/7 | 設計者CAE 構造解析編 (強度) | オンライン | |
| 2025/3/10 | 半導体後工程プロセスと加工用材料の開発 | オンライン | |
| 2025/3/11 | チップレット集積の要素技術と実用化に向けた開発動向 | オンライン | |
| 2025/3/12 | 半導体パッケージ技術の最新動向 | オンライン | |
| 2025/3/13 | 次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題 | オンライン | |
| 2025/3/13 | シリコン・パワー半導体におけるCMPの技術動向 | オンライン | |
| 2025/3/13 | 半導体洗浄技術の基礎知識および技術トレンド | オンライン | |
| 2025/3/14 | 半導体デバイス製造に用いられる接合技術の基礎と異種材料集積化に向けた常温・低温接合技術の最新動向 | オンライン | |
| 2025/3/18 | 半導体デバイスで良品を作るためのクリーン化技術 | オンライン | |
| 2025/3/18 | 半導体パッケージ技術の最新動向 | オンライン | |
| 2025/3/18 | インバータの基礎と制御技術 | オンライン | |
| 2025/3/24 | 半導体製造におけるシリコンウェーハ表面のクリーン化・歩留向上技術および洗浄・乾燥技術 (2コースセット) | 東京都 | 会場・オンライン |
| 2025/3/24 | 半導体製造ラインのウェーハ表面洗浄・乾燥および汚染除去技術の基礎から最新動向まで | 東京都 | 会場・オンライン |
| 2025/3/24 | セラミックスの成形プロセス技術 | オンライン | |
| 2025/3/25 | パワー半導体接合における銀焼結接合材料の開発と機械特性の評価 | オンライン | |
| 2025/3/25 | 次世代半導体パッケージおよび実装技術動向と市場展望 | 東京都 | オンライン |
| 2025/3/26 | 次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術 | オンライン | |
| 2025/3/27 | パワーエレクトロニクス初心者のためのスイッチング電源制御系設計 | オンライン | |
| 2025/3/27 | 半導体製造装置の基礎・トレンドと今後の展望 (2025年版) | オンライン |
関連する出版物
| 発行年月 | |
|---|---|
| 2024/11/29 | パワーデバイスの最新開発動向と高温対策および利用技術 |
| 2024/9/13 | 世界のAIデータセンターを支える材料・デバイス 最新業界レポート |
| 2024/8/30 | 次世代パワーデバイスに向けた高耐熱・高放熱材料の開発と熱対策 |
| 2024/6/19 | 半導体・磁性体・電池の固/固界面制御と接合・積層技術 |
| 2024/4/30 | 次世代半導体用の難加工結晶材料のための超精密加工技術 |
| 2024/2/26 | EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
| 2024/2/26 | EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2023/9/29 | 先端半導体製造プロセスの最新動向と微細化技術 |
| 2023/4/28 | 次世代半導体パッケージの最新動向とその材料、プロセスの開発 |
| 2022/11/29 | 半導体製造プロセスを支える洗浄・クリーン化・汚染制御技術 |
| 2022/10/31 | 半導体製造におけるウェット/ドライエッチング技術 |
| 2022/7/27 | 次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術 |
| 2022/6/17 | 2022年版 電子部品市場・技術の実態と将来展望 |
| 2022/6/13 | パワー半導体〔2022年版〕 (CD-ROM版) |
| 2022/6/13 | パワー半導体〔2022年版〕 |
| 2021/12/10 | 2022年版 スマートデバイス市場の実態と将来展望 |
| 2021/11/12 | レジスト材料の基礎とプロセス最適化 |
| 2021/6/18 | 2021年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望 |
| 2020/12/11 | 2021年版 スマートデバイス市場の実態と将来展望 |
| 2020/7/17 | 2020年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望 |