パワーエレクトロニクス産業を根底から支えるパワーデバイスは、現状ほぼ100%Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、SiCやGaN等のワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、コストが高い、製造プロセスが確立していないなど、量産化には多くの課題があります。
　Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

1. パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
   1. パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
   2. パワーデバイスの用途と産業構造
2. パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
   1. パワーチップおよびパワーモジュールの構造と要求性能
   2. Siパワーデバイス高性能化の歴史
3. ワイドギャップ半導体のポテンシャルと開発ターゲット
   1. ワイドギャップ半導体のパワーデバイスとしてのポテンシャル
   2. ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
4. Siパワーデバイスの優位性と将来展望
   1. Siパワーデバイスの優位性
   2. Siパワーデバイスの将来展望と課題
5. 次世代/次々世代パワーデバイスの克服すべき課題
   1. SiCパワーデバイスの課題
   2. GaNパワーデバイスの課題
   3. 酸化ガリウム/ダイヤモンドパワーデバイスの課題
6. まとめ ～パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位～
• 質疑応答