技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説いたします。
さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーのあるべき姿を考察いたします。
(2026年10月30日 10:30〜12:00)
半導体デバイスは微細化により集積度と性能を向上しつづけてきたが、微細化は限界を迎えスローダウンしている。それでもムーアの法則は継続しており、それを可能としているのはデバイス構造の三次元化やレイアウトの最密化である。CMPはその実現のためにきわめて重要な役割を果たしており、適用工程数は爆発的に増加している。
本セミナーでは先端デバイスの構造と適用されるCMP工程を解説し、CMPスラリーの要求特性を明確化する。CMP技術とスラリー開発の最新動向を総合的に理解し、今後のプロセス改善や材料選定に役立てていただくことを目的とする。
(2026年10月30日 13:00〜14:30)
半導体の微細化・高集積化に必須となっているCMP技術。研磨装置そのものと並んで、使用される工程や研磨対象によって種類・組成が多岐にわたるCMPスラリーも非常に重要な技術です。
本講座ではCMPスラリーメーカーではなく、化学メーカーの立場でのCMPスラリー添加剤の開発への取り組みをご紹介いたします。
(2026年10月30日 14:45〜16:15)
CMPスラリー評価において重要となる粒子径・粒子径分布、ゼータ電位の評価ポイントを取り上げます。平均粒子径や多分散性、凝集粒子や粗大粒子の有無を確認することで、スラリー中で粒子がどのような状態にあるかを把握するポイントを示します。
また、スラリー粒子のゼータ電位の測定結果をもとに分散状態を確認し、pHや添加剤による変化を評価する際の判断のポイントについても解説します。さらに、ウェハー表面のゼータ電位との関係から、粒子の付着や除去、欠陥発生との関係を考え、スラリー条件の検討や評価結果を適切に解釈するためのポイントを紹介します。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
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| 発行年月 | |
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