パワーエレクトロニクス産業を根底から支えるパワーデバイスは、現状ほぼ100%Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、SiCやGaNなどのワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、コストが高い、製造プロセスが確立していないなど、量産化には多くの課題があります。
　Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

1. Siパワーデバイス
   1. パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
   2. Siパワーデバイスの用途と産業構造
   3. Siパワーデバイスの進化と技術開発動向
2. ワイドギャップ半導体パワーデバイスへの期待
   1. ワイドギャップ半導体の優位性
   2. ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
3. パワーデバイス用結晶の開発動向
   1. パワーデバイス用Si結晶
   2. パワーデバイス用SiC結晶
   3. パワーデバイス用GaN結晶
4. SiCパワーデバイス
   1. SiCパワーデバイスの構造と製造プロセス
   2. SiCパワーデバイスの課題
5. GaNパワーデバイス
   1. GaNパワーデバイスの構造と製造プロセス
   2. GaNパワーデバイスの課題
6. まとめ
• 質疑応答