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徹底解説 パワーデバイス
徹底解説 パワーデバイス
～構造、結晶/基板、製造技術、用途展開を基礎から最新動向まで総まくり～
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、パワーデバイスについて基礎から構造、製造、用途展開、技術動向まで詳解いたします。
開催日
- 2016年7月21日(木) 10時30分 ～ 16時30分
受講対象者
- パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者
- 電気・エネルギー関連
- 電力変換回路
- 自動車
- ハイブリッド車
- 電気自動車
- 電車
- PC
- 家電
- エレベータ
- インバーター
- 無停電電源装置 など
- パワーエレクトロニクス/パワーデバイスで課題を抱えている方
- これからパワーエレクトロニクス/パワーデバイスに携わる方
修得知識
- パワーエレクトロニクス/パワーデバイス産業構造
- パワーデバイスの用途、構造、設計指針
- ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性と開発ターゲット
- パワーデバイス用結晶の特異性
- SiCパワーデバイスの構造、製造プロセスと課題
- GaNパワーデバイスの構造、製造プロセスと課題
プログラム
パワーエレクトロニクス産業を根底から支えるパワーデバイスは、現状ほぼ100%Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、SiCやGaNなどのワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、コストが高い、製造プロセスが確立していないなど、量産化には多くの課題があります。
Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。
- Siパワーデバイス
- パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
- Siパワーデバイスの用途と産業構造
- Siパワーデバイスの進化と技術開発動向
- ワイドギャップ半導体パワーデバイスへの期待
- ワイドギャップ半導体の優位性
- ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
- パワーデバイス用結晶の開発動向
- パワーデバイス用Si結晶
- パワーデバイス用SiC結晶
- パワーデバイス用GaN結晶
- SiCパワーデバイス
- SiCパワーデバイスの構造と製造プロセス
- SiCパワーデバイスの課題
- GaNパワーデバイス
- GaNパワーデバイスの構造と製造プロセス
- GaNパワーデバイスの課題
- まとめ
- 質疑応答
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
42,750円 (税別) / 46,170円 (税込)
複数名
:
22,500円 (税別) / 24,300円 (税込)
複数名同時受講の割引特典について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 22,500円(税別) / 24,300円(税込) で受講いただけます。- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,750円(税別) / 46,170円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 48,600円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 72,900円(税込)
- 受講者全員が会員登録をしていただいた場合に限ります。
- 同一法人内(グループ会社でも可)による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。 - 他の割引は併用できません。
本セミナーは終了いたしました。
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