技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、AIチップや高性能半導体デバイスの高発熱化に対応する、従来の空冷を超える先端冷却・放熱技術について取り上げ、「液体金属を用いた放熱フィルム技術」「三次元マイクロ流路による省エネ水冷技術」「ハニカム多孔構造による超高熱流束沸騰冷却技術」をテーマに、AIチップにおける熱課題や空冷・液冷技術の現状と課題を踏まえながら、各講師が技術概要や最新の研究開発動向について解説いたします。
(2026年6月24日 11:00〜12:00)
AIチップや高性能半導体デバイスの高密度化に伴い、発生する熱をいかに効率よく外部へ逃がすかがデバイスの信頼性と性能を左右する。
本講演では、従来の放熱材料の限界を打破する材料として期待されるガリウム系「液体金属」の基礎物性と、その実装を支える「フィルム技術」について解説する。液体金属の優れた熱伝導性を活かすための界面制御や、液漏れ・腐食といった実用上の課題解決策に加え、デバイスの長寿命化に不可欠な「ガスバリアフィルム」および最新の「放熱フィルム」の設計思想について、独自の知見に基づき詳述するものである。
(2026年6月24日 13:00〜14:00)
半導体デバイスは、高速化、低消費電力化を可能にする三次元化に向けた開発が進められている。発熱密度の高い先端半導体デバイスは深刻な放熱問題を抱えるため高度な放熱技術が求められる。空冷方式より強力な、液体冷却技術の開発が進んでおり、二相式ダイレクトチップ冷却技術も商用化が実現するなど技術的な進展が著しい。
本講演では、先端半導体デバイス冷却技術を簡単に紹介した後、次世代の半導体チップ冷却技術として注目されているチップ内部にまで水を送り込んで抜熱する技術を紹介する。シリコンチップにマイクロ流路を形成し、マニフォールド構造およびマイクロピラー構造を用いた三次元構造により、二相冷却を用いた研究について詳しく述べ、その性能と挙動、課題について解説する。
- ハニカム多孔構造による超高熱流束冷却 –
(2026年6月24日 14:15〜15:45)
近年、生成AIの急速な普及に伴い、GPUを中心とした高性能半導体の発熱密度は急激に増大している。今後、AIチップでは1000 W/cm2級に達する超高熱流束が要求されると予測されており、従来の空冷・単相水冷では対応が困難になりつつある。
一方、沸騰冷却は極めて高い熱伝達性能を有し、次世代半導体冷却技術として注目されている。しかし、沸騰冷却においても「限界熱流束 (CHF) 」と呼ばれる冷却破綻限界が存在し、その克服が大きな課題となっている。
本講演では、AI半導体・データセンター冷却を背景として、沸騰冷却の基礎と限界、ならびにハニカム多孔質体を用いた限界熱流束向上技術について解説する。特に、液体供給と蒸気排出を分離する構造設計思想に基づき、外部動力を用いずに超高熱流束冷却を実現するアプローチについて紹介する。また、最新の研究成果として、ハニカム多孔構造による限界熱流束向上メカニズム、マイクロ・ナノ構造化技術、AIチップ・データセンターへの適用可能性、ならびに今後の熱マネジメント技術の方向性について議論する。
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
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