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GaN/Siパワーデバイスの開発と適用動向

GaN/Siパワーデバイスの開発と適用動向

～ノーマリオフ化、絶縁膜形成技術、電流コラプス抑制、大口径化～
東京都 開催 会場 開催
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概要

本セミナーでは、MOCVD法を用いて成長した大口径Si基板上のAlGaN/GaN HEMT構造の結晶成長、デバイス特性及び研究開発動向に関して解説いたします。

開催日

  • 2015年10月15日(木) 12時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など

プログラム

最近、Si基板上のAlGaN/GaN HEMTを用いたパワーデバイスの研究開発が注目を浴びている。
本講座では、MOCVD法を用いて成長した大口径Si基板上のAlGaN/GaN HEMT構造の結晶成長、デバイス特性及び研究開発動向に関して解説する。

  1. MOCVDを用いたヘテロエピタキシャル成長
    1. ヘテロエピタキシャル成長の原理
    2. Si基板上のGaAs結晶成長
    3. Si基板上のGaN結晶成長 ～厚膜化および高品質化～
    4. 各種基板上のGaNの比較 ～Si基板の利点～
  2. GaN-on-Siのパワーデバイスへの適用
    1. 研究開発の動向
    2. GaN-on-Siパワーデバイスの応用分野
    3. Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造
    4. 静特性、耐圧、オン抵抗
    5. V型ピットの与える影響
  3. 課題と将来展望
    1. GaN-on-Siの8インチ化
    2. ALD法を用いた絶縁膜形成技術
    3. ノーマリオフ特性
    4. InAlN/GaN HEMT
  4. GaN-on-Siのまとめ
    • 質疑応答・個別質問・名刺交換
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講師

  • 江川 孝志 氏
    名古屋工業大学 極微デバイス次世代材料研究センター
    教授 / センター長
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会場

株式会社 技術情報協会
東京都 品川区 西五反田2-29-5 日幸五反田ビル8F
株式会社 技術情報協会の地図
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主催

株式会社 技術情報協会
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 45,000円 (税別) / 48,600円 (税込)
複数名
: 40,000円 (税別) / 43,200円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 40,000円(税別) / 43,200円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 48,600円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 86,400円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 129,600円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。
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