第1章 LSIの設計に備えて

• 1. LSI設計の必要要素
• 2. プロセスと設計の関わり
• 3. 設計と品質保証の関わり
• 4. 設計検証とミスの低減

第2章 豊かな半導体知識

• 1. 半導体物理の概要
• 2. 半導体の実際
• 3. 半導体物性と設計の関わり

第3章 デバイスの知識

• 1. MOSトランジスタの発展
  • 1.1 バイポーラトランジスタ
  • 1.2 MOSトランジスタ
  • 1.3 Nチャンネルdepletion型MOSトランジスタ
  • 1.4 Pチャンネルenhancement型MOSトランジスタ
  • 1.5 表面準位、表面電荷密度
• 2. MOSトランジスタのチャンネル電位
• 3. 負荷MOSトランジスタ
• 4. CMOS LSI
• 5. SOI
• 6. LDD MOSトランジスタ

第4章 プロセスの知識

• 1. CMOS ICのプロセス概要
• 2. 個々のプロセス工程
  • 2.1 パターニング
  • 2.2 熱酸化
  • 2.3 拡散
  • 2.4 気相成長
  • 2.5 金属配線
• 3. シリコンLSI構成材料のまとめ
• 4. 組立工程
• 5. プロセスと設計の関わり

第5章 LSIの回路設計

• 1. ブール代数
• 2. Adder
• 3. Gate
  • 3.1 多入力のGate
  • 3.2 CMOS特有のGate構成
• 4. Flip-flop
• 5. カウンター
  • 5.1 BCD 10進カウンター
  • 5.2 BCD 6進カウンター
  • 5.3 BCD N進カウンター
• 6. 水晶発振回路
  • 6.1 水晶振動子
  • 6.2 水晶発振回路
  • 6.3 水晶発振回路の静的解析
  • 6.4 水晶振動子の最大励振レベル
  • 6.5 CMOS低電力水晶発振回路

第6章 LSIのレイアウト設計

• 1. レイアウト設計の手順と集積度、性能の向上
• 2. 寄生MOSトランジスタ
• 3. 個別の課題とその対処
  • 3.1 静電破壊 (ESD)
  • 3.2 Latch-Up
  • 3.3 Metal配線
  • 3.4 BiCMOS
  • 3.5 精密抵抗比
  • 3.6 クロスオーバー

第7章 LSI設計と製品品質

• 1. LSIの製品品質
  • 1.1 Electro-Migration
  • 1.2 Stress-Migration
  • 1.3 Alとシリコンのコンタクト
  • 1.4 Alのスライド
  • 1.5 Hot carrier
  • 1.6 TDDB
  • 1.7 ソフトエラー
  • 1.8 外乱光と外乱応力による誤動作
• 2. レイアウト/回路設計と製品品質
  • 2.1 ノイズマージン
  • 2.2 タイミングマージン

第8章 LSIの設計評価と検証

• 1. 設計評価
• 2. テスト
• 3. 評価とテストにおけるトラブル
• 4. 異常機能の評価
• 5. ソフトウェアの検証

第9章 LSI設計を取り巻く環境

• 1. LSI設計技術の発展
• 2. 集積密度の発展
• 3. 情報化社会における技術と市場
  • 3.1 Game
  • 3.2 携帯電話
  • 3.3 ワイヤレス
  • 3.4 Display
  • 3.5 デジタルTV
  • 3.6 インタフェース