技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、微細化の限界が迫る中、多層配線・Post-Cu材料・Low-k・TSV・チップレットなど、次世代デバイスを支える核心技術を2日間で整理。最新動向と実例を交えて詳細に解説します。
そこで、本講ではこれまでの多層配線技術の歴史的変遷を振り返るとともに、Cuダマシン配線の製造プロセスや微細化に伴う配線抵抗増大の課題について詳しく解説した上で、Cu代替金属材料 (Co, Ru, Mnなど) やナノカーボン材料 (CNT、グラフェン) の最新の開発動向について述べる。
また、Cu配線を取り囲む誘電材料 (絶縁膜) として、配線間容量低減のために低誘電率 (Low-k) 材料を導入した経緯や課題、更なるLow-k化のための多孔質 (Porous) 材料の課題と対策、究極のLow-k技術であるAir-Gap (中空) 技術についても詳細に述べる。
さらに、配線長を大幅に短縮化でき、超ワイドバス化や大容量・高速の信号伝送が可能になるSi貫通孔 (TSV) やウエハレベル貼合プロセスを用いたメモリデバイスの三次元積層化や、複数の半導体チップ (或いは従来のSoC (System on Chip) チップを機能ごとに分割したチップレット) をパッケージ基板上に近接配置して高性能システムを構成する異種デバイス集積化 (チップレットインテグレーション) についても詳しく解説する。
～Cu代替材料・ナノカーボン・Low-k材料の低誘電率化、プロセスダメージなどの課題まで～
(2026年11月5日 13:00〜17:30)
～TSV・Hybrid Bonding・CoWoS・Foveros・FO-WLPから市場動向まで～
(2026年11月12日 13:00〜17:30)
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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| 発行年月 | |
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